替代IRLR7843應用10串MOS管工藝
IRLR7843Trench MOS是電力電子技術發展起來的新一代功率半導體器件，因其具有高耐壓、大電流、低導通電阻、開關速度快等方面的優勢，有著廣闊的應用市場。本文首先介紹了Trench MOS的發展、應用以及前景，分析了Trench MOS工作原理及結構，研究了Trench MOS的電學特性。然后利用TSUPREM4 & MEDICI仿真工具設計了150V Trench MOS器件，分析了不同外延層濃度對Trench MOS擊穿電壓的影響。最后設計了終端結構，利用場限環技術，達到了抗150V擊穿電壓的目的。

IRLR7843在早期的研究中，人們把Trench MOS研究的焦點集中在擊穿電壓在50V以下的應用上。主要關注Trench MOS的特征導通電阻。通過增加單胞密度，縮短溝道長度，降低閾值電壓等方法使得Trench MOS的源漏RpsON最小。1989年30V傳統Trench MOS(阻下簡稱LIMOS)原胞密度可以做到1000uΩ.c㎡,1991年傳統UMOS就得到了長足的發展，50V耐壓下原胞密度能達到580uΩ.c㎡7.隨著Trench MOS越來越廣泛的應用。柵電容也逐漸成為人們關注的又一個焦點。由于柵電容直接關系到器件的開關速度，許多高頻的應用希望Trench MOS的電容越低越好。但是，柵電容是隨著單胞密度的增加而增加，所以它和器件的特征導通電阻是矛盾的。于是接著，許多研究就開始集中在RDSON和Qgd乘積Fom值上。

替代IRLR7843常見問題
IRLR7843OA失效（電流失效）：導體光放大器（SOA)失效是指在電源工作過程中，由于MOS管上同時疊加了異常大的電流和電壓而引起的損傷模式。或者，芯片、散熱器和封裝不能時達到熱平衡，導致熱量積聚，并且連續熱產生導致溫度超過由于熱擊穿模式而導致的氧化物層的極限。

OA失效的預防措施：確保在最壞的情況下，MOS管的所有功率限制都在SOA限制線之內；OCP功能必須精確、詳細。

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例

鋰電池保護板做充放電開關使用

一般情況下，MOS都處于開或關的狀態，不用考慮MOS的開關速度，會在整體電路上設計了快速關閉回路。

要注意以下幾個點：

1，注意DS電壓，設計選型留有足夠的余量。按照1.5倍MOS管的BVDDS

2，注意工作電流與保護電流，經驗值是3~4倍以上為MOS的ID(DC) 。

3，多顆MOS并聯，電流的余量盡量再大一點。

4，走大電流的方案，要綜合考慮封裝散熱，內阻。

5，驅動電壓要了解，盡量使MOS工作在*開啟狀態，對于單片機驅動的方案，盡量推薦低開啟的MOS。

另外在選用MOS管時要注意溝道類型，BVDDS ，ID導通電流，VGS(th)，RDSON這幾項參數。

公司介紹

華鎂公司，為一家專業功率半導體組件(MOSFET)和集成電路芯片的設計公司。憑借著堅實的產品開發、營銷業務及營運團隊。提供性能優異、高信賴性、高性價比的產品及滿足客戶需求的服務，已獲得眾多客戶于其節能電子產品中的廣泛使用。目前華鎂可提供的功率半導體元器件產品(12V~1200V)和集成電路芯片（鋰電保護和控制驅動芯片），產品應用范圍含蓋計算機(個人計算機與服務器)、電源供應器、通訊電子產品、手持式電子裝置、消費性產品及工業應用產品等。
華鎂整個團隊秉持著“成就客戶、努力奮斗、持續學習、進取創新、誠信正直、團隊合作”理念，并已累積15年以上的產品開發經驗及50余個世界
華鎂研發總部設在中國臺灣新竹科學工業園區（302 新竹縣竹北市），國內研發和應用總部位于張家港市和蕪湖市，國內市場主要以成品及Wafer銷售和配套服務為主。

替代IRLR7843應用10串MOS管封裝
IRLR7843TO封裝產品外觀
IRLR7843TO252/D-PAK是一種塑封貼片封裝，常用于功率晶體管、穩壓芯片的封裝，是目前主流封裝之一。
IRLR7843采用該封裝方式的MOSFET有3個電極，柵極（G）、漏極（D）、源極（S）。
IRLR7843其中漏極（D）的引腳被剪斷不用，而是使用背面的散熱板作漏極（D），直接焊接在PCB上，一方面用于輸出大電流，一方面通過PCB散熱；所以PCB的D-PAK焊盤有三處，漏極（D）焊盤較大。
IRLR7843TO-252/D-PAK封裝尺寸規格
IRLR7843TO-263是TO-220的一個變種，主要是為了提高生產效率和散熱而設計，支持*的電流和電壓，在150A以下、30V以上的中壓大電流MOS管中較為多見。
IRLR7843除了D2PAK（TO-263AB）之外，還包括TO263-2、TO263-3、TO263-5、TO263-7等樣式，與TO-263為從屬關系，主要是引出腳數量和距離不同。



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