HN8061A兆歐表檢定裝置

 絕緣電阻校驗(yàn)裝置生產(chǎn)廠家

依據(jù)JJG1005—2005《電子式絕緣電阻表檢定規(guī)程》、JJG622—1997《絕緣電阻表（兆歐表）檢定規(guī)程》,用于檢定電子式絕緣電阻表的示值誤差、跌落電壓、短路電流。
二、主要技術(shù)指標(biāo)
絕緣電阻表檢定裝置(兆歐表檢定裝置)主要用來(lái)檢定額定電壓≤10000V的絕緣電阻表，也可在絕緣電阻表生產(chǎn)、修理中作標(biāo)準(zhǔn)器具。其電阻器部分可單使用。數(shù)字表部分可測(cè)5000V的直流電壓和大20mA的直流電流。
本檢定裝置的主要技術(shù)性能如下：
㈠ 標(biāo)準(zhǔn)數(shù)字表
1、測(cè)量范圍：
電壓分兩檔：0～5000V  0～10000V  
 短路電流：0～2mA    0～20mA

電阻0-200G-1T-10T ，由所示的電壓跟隨器（或儀器儀表放大器）對(duì)多路復(fù)用器進(jìn)行緩沖。輸入信號(hào)是靜態(tài)的，并且由RC網(wǎng)絡(luò)進(jìn)行濾波，從而降低了噪聲帶寬或RF干擾。放大器必須足夠快以便在轉(zhuǎn)換之間建立，所以選擇時(shí)必須考慮壓擺率和帶寬。然而，在實(shí)驗(yàn)室中，結(jié)果卻并不如預(yù)期：放大器輸出移動(dòng)緩慢，并且波形不正常，有建立長(zhǎng)尾現(xiàn)象。建立時(shí)間遠(yuǎn)不及規(guī)格。問(wèn)題可能在哪里？具有多路輸入的電壓跟隨器許多事情可能出錯(cuò)，但根本問(wèn)題是通道轉(zhuǎn)換時(shí)放大器輸入過(guò)載。

HN8062A接地電阻表校驗(yàn)裝置

 

用于檢定JJG336-2004《接地電阻表檢定規(guī)程》所適用的我目前生產(chǎn)的型號(hào)的模擬式、數(shù)字式接地電阻表以及進(jìn)口的同類(lèi)儀表，也可做普通電阻箱使用，具有調(diào)節(jié)范圍寬，使用方便，造型美觀等優(yōu)點(diǎn)。 利用RFID技術(shù)的無(wú)源傳感器標(biāo)簽功能元件芯片和傳感器標(biāo)簽幸運(yùn)的是，有多種集成度更高的無(wú)源感測(cè)和優(yōu)化選擇。其中有RF430FRL152H，它集成了實(shí)現(xiàn)圖1所示功能所需的所有電路，包括用于連接到模擬傳感器的14位三角積分AD以及可用于連接數(shù)字傳感器的SPI/I2C端口。RF430FRL15xH帶有通過(guò)鐵電RAM(FRAM)實(shí)現(xiàn)的2KB非易失性存儲(chǔ)器，實(shí)現(xiàn)了低功耗、快速讀寫(xiě)速度、無(wú)限次讀/寫(xiě)耐久性和高電磁抗擾度綜合優(yōu)勢(shì)。

主要技術(shù)指標(biāo)：
1、模擬接地電阻

步進(jìn)阻值（Ω）	*1000	*100	*10	*1	*0.1	*0.01	*0.001
功率（W）	0.25	0.25	0.25	0.25	0.1	0.1	0.1
基本誤差極限（α%）	0.1	0.1	0.1	0. 1	1	5	10
時(shí)間常數(shù)τ（S）	≤5*10-6
阻值調(diào)節(jié)范圍（Ω）	0.1--11111.210 小步進(jìn)值0.001Ω

2、模擬輔助接地電阻

電阻值（Ω）	0	500	1000	2000	5000
基本誤差極限（α%）	<0.05Ω	1Ω
功率（W）	0--0.25W

IT89采用模塊化設(shè)計(jì)，可以適配充電模塊的功率需求，完成相關(guān)測(cè)試測(cè)試，也可以保證在大功率下的高性能表現(xiàn)，搭載在艾德克斯充電樁/充電機(jī)測(cè)試系統(tǒng)中，完成充電樁全套測(cè)試項(xiàng)目。尤其在新增的功率自動(dòng)分配試驗(yàn)中要求對(duì)一機(jī)多充的直流充電樁進(jìn)行多路輸出的自動(dòng)功率分配能力測(cè)試，一機(jī)兩充直流充電機(jī)連接負(fù)載，設(shè)置第1路充電接口為額定功率輸出，先按功率分配級(jí)差減少第1路輸出功率，至充電機(jī)穩(wěn)定運(yùn)行。然后按功率分配級(jí)差增加第2路功率需求，至充電機(jī)穩(wěn)定運(yùn)行。

HN8063A耐電壓測(cè)試儀校驗(yàn)裝置

一、性能特點(diǎn)

1、測(cè)量準(zhǔn)度：

關(guān)于MOSFET很多人都不甚理解，這次小編再帶大家仔細(xì)梳理一下，也許對(duì)于您的知識(shí)系統(tǒng)更加。下面是對(duì)MOSFET及MOSFET驅(qū)動(dòng)電路基礎(chǔ)的一點(diǎn)總結(jié)，其中參考了一些資料。在使用MOS管設(shè)計(jì)開(kāi)關(guān)電源或者馬達(dá)驅(qū)動(dòng)電路的時(shí)候，大部分人都會(huì)考慮MOS的導(dǎo)通電阻，電壓等，電流等，也有很多人僅僅考慮這些因素。這樣的電路也許是可以工作的，但并不是的，作為正式的產(chǎn)品設(shè)計(jì)也是不允許的。但是本身的儀器原理也包含了終將會(huì)被時(shí)代拋棄的硬傷。大抵有以下幾條：帶寬有限：這是致命硬傷。前面已經(jīng)提到，模擬示波器的輸入信號(hào)是放大后直接控制CRT顯示屏的電子槍偏轉(zhuǎn)。雖然放大器的帶寬可以越來(lái)預(yù)高，但是CRT電子槍的偏轉(zhuǎn)速度是有限的，對(duì)于高頻信號(hào)，電子槍的速度跟不上信號(hào)變化。當(dāng)前模擬示波器帶寬真的很難做上去。無(wú)法存儲(chǔ)和分析：很多老工程師非常清楚，用模擬示波器保存波形是要拿相機(jī)拍照的，如果要測(cè)幅度、周期、上升時(shí)間，只能手動(dòng)去搞。