1、HNDL系列大電流發生器溫升測試儀
    

大電流試驗設備按照使用一般分為以下幾種：

1、單相大電流發生器

2、三相大電流發生器

3、智能型全自動大電流發生器

4、溫升大電流發生器  溫升試驗設備  JP柜溫升試驗裝置

5、直流大電流發生器

6、熔斷器大電流試驗裝置
 PCI總線不僅可以應用到低檔至的臺式系統上，而且也可應用在便攜式機及至服務器的范圍中。在一個PCI系統中，可做到高速外部設備和低速外部設備共享，PCI總線與ISA／EISA總線并存，其系統結構如所示［1］。PCI總線信號與命令在一個PCI應用系統中，取得了總線控制權的設備稱為“主設備”，而被主設備選中以進行通信的設備稱為“從設備”或“目標設備”。相應的接口信號線，通常分為*的和可選的2大類。

1）基本型 可采用串并聯，主要于電力系統的一次母線保護和電流互感器變比等試驗，也可以對電流繼電器及開關行程時間、過流速斷、傳動等試驗進行整定。

2）集成型 集電流，時間，變比，極性于一體 為供電局，電廠現場測試。

3）瞬沖型  無需預調。（熔斷器測試儀）電流直接輸出額定值。對負載自適應。用于熔斷器測試。

4）溫升型  用于開關柜，母線槽等電器的溫升試驗 目前，新能源的研究領域中，超級電容作為業界關注的新型儲能器件，具備了可快速充放電的優點，又有電池的儲能機理。超級電容測試及其應用是業內人士比較關注的話題。在這些應用中，超級電容器為系統單提供所需的峰值功率電源或與電池一起在連續工作時提供穩流低功率電源，而在峰值負載時提供一個高功率脈沖。在這里，超級電容器減弱了用電器對電池提供峰值功率的要求，這樣就可以大大延長電池的壽命，并減小了電池的整體尺寸。

功能特點：

1 采用進口0.23鐵芯，電效率高鐵心無氣隙，疊裝系數可高達95％以上，鐵心磁導率可取1.5～1.8T（疊片式鐵心只能取1.2～1.4T），電效率高達95％以上，空載電流只有疊片式的10％。

2  采用環形設計。體積小重量輕，環形變壓器比疊片式變壓器重量可以減輕一半.

　3 磁干擾較小環形變壓器鐵心沒有氣隙，繞組均勻地繞在環形的鐵心上，這種結構導致了漏磁小，電磁輻射也小，無需另加屏蔽都可以用到高靈敏度高準度的電子設備上采用  EMI測試技術目前診斷差模共模干擾的三種方法：射頻電流探頭、差模網絡、噪聲分離網絡。用射頻電流探頭是測量差模共模干擾簡單的方法，但測量結果與標準限值比較要經過較復雜的換算。差模網絡結構比較簡單，測量結果可直接與標準限值比較，但只能測量共模干擾。噪聲分離網絡是的方法，但其關鍵部件變壓器的制造要求很高。目前干擾的幾種措施形成電磁干擾的三要素是干擾源、傳播途徑和受擾設備。因而，電磁干擾也應該從這三方面著手。

4  采用0.2級數字式真有效值電流表顯示，準度高。而且無需外附標準CT及其他附件，簡潔直觀。  

5 采用0.2S級高準度電流互感器，保證電流信號的線性度和高準度輸出.

6 內置高準度毫秒計。滿足時間高準度測試的需要。           

著色為紅用于警告消防員當前的危險。在這種情況下，FLIRK系列紅外熱像儀在顯示屏上顯示“+65°C”，同時保持均衡的低靈敏度模式，不犧牲圖像細節顯示。FLIRK系列紅外熱像儀的設計旨在經受惡劣的消防條件，能耐受從2米高處跌落到混凝土地面上，防水等級達IP67，同時能在高達+26°C條件下滿負荷運轉5分鐘。值得一提的是，FLIRK65*符合美國防火協會（NFPA）針對熱像儀的181-218標準。技術參數：                        

輸入電源：AC 220V /380V  50HZ             

電流輸出：0－ 1000A        準度：0.5或0.2  分辨率：0.01A

電流輸出：1000－ 5000A     準度：0.5或0.2  分辨率：0.1A

電流輸出：5000－ 10000A    準度：0.5 或0.2 分辨率：1A

電流輸出：10000－50000A    準度：0.5 或0.2 分辨率：1A

輸出端開口電壓：≥6V

時間測試：0.001S－9999.999S  分辨率：0.001S

溫升測試儀儀商解析：無線通信的世界，干擾是不受歡迎的東西，干擾永遠是無線通信領域中的不速之客。它導致噪聲、通話中斷、通信受到干擾。雖然越來越多的網絡內置了干擾檢測功能，但通常效果不大。為解決干擾這個棘手問題，有效的方案是使用頻譜分析儀，用以測量和識別干擾源。識別和檢測微弱的干擾信號。不管干擾信號多么難以捉摸，實時頻譜分析儀都能勝任。搜尋干擾頻率在搜尋干擾時，個挑戰是確定是否可以測量干擾信號。一般來說，受擾接收機很容易確定，這也是個要查看的地方。半導體生產流程由晶圓制造，晶圓測試，芯片封裝和封裝后測試組成，晶圓制造和芯片封裝討論較多，而測試環節的相關知識經常被邊緣化，下面集中介紹集成電路芯片測試的相關內容，主要集中在WAT，CP和FT三個環節。集成電路設計、制造、封裝流程示意圖WAT（WaferAcceptanceTest）測試，也叫PCM（ProcessControlMonitoring），對Wafer劃片槽（ScribeLine）測試鍵（TestKey）的測試，通過電性參數來監控各步工藝是否正常和穩定，CMOS的電容，電阻，Contact，metalLine等，一般在wafer完成制程前，是Wafer從Fab廠出貨到封測廠的依據，測試方法是用ProbeCard扎在TestKey的metalPad上，ProbeCard另一端接在WAT測試機臺上，由WATRecipe自動控制測試位置和內容，測完某條TestKey后，ProbeCard會自動移到下一條TestKey，直到整片Wafer測試完成。