YES-VertaCure XP由世界上大的公司選擇，是經(jīng)過生產(chǎn)驗證的平臺，可容納200mm/300mm晶片，并在集成的1類微型環(huán)境中自動處理多達兩個處理模塊。

真空固化的優(yōu)勢

•3.5小時與8小時以上的大氣壓相比
•層流減少/消除了顆粒
•更*的固化（排氣量減少5倍）
•減少膜應(yīng)力，降低晶片翹曲
•功耗和N2消耗減少1.6到2倍
•大大降低了資本成本，降低了2-3倍的運營成
本YES-VertaCure XP 1PM和2PM系統(tǒng)分別容納50和100個晶片。

技術(shù)參數(shù)

環(huán)境清潔度：100級
EFEM清潔度：100級
高溫度：<450°C
WiW溫度均勻性：駐留溫度在250°C以下+/- 1.5°C和在250°C以上+/- 2.5°C（兩種情況的穩(wěn)
定時間均小于15分鐘。）
升溫速率：150至450°C低8.0°C / min
下降速度：從450至150°C低3.2°C / min正常運行時間≥98％
MTTR：≤4小時
MTBF：≥500小時
翹曲：≤3mm一側(cè)
晶圓破損：大破損率<50 ppm
晶圓尺寸：□300 mm，□200 mm，□150 mm，□100 mm（8英寸晶圓厚度@ 450-900um，12英寸晶
圓厚度@ 760um）
裝載端口數(shù)量：□2，□4，□其他用于200mm / 300mm FOUP的開放式卡匣適配器
工藝氣體類型：氮氣-預(yù)熱
MFC：1 N2校準(zhǔn)MFC
大流量：50 SLM
泵：由客戶提供（推薦與Ebara EV-A06 21 CFM相同或等同）
清潔排氣：室內(nèi)冷卻空氣與環(huán)境空氣混合（將排氣溫度降低到安全暴露極限以下。僅排熱；排氣
中不存在工藝氣體或流出物。 高流量為2000 SCFM，排氣溫度≤40°C）
泵排氣：洗滌器–大流量21 CFM
ESD SEMI：符合S2和S8
腔室：不銹鋼腔室SUS 316L
處理模塊：1個50個晶圓（用于VertaCure 1PM）； 2個100晶圓（對于VertaCure 2PM）
O2監(jiān)測器的O2濃度：在過程開始后20分鐘內(nèi)<10 ppm（連續(xù)監(jiān)測過程室真空排氣中的氧濃度以驗證
氧氣性能。 O2值將保存到過程日志中，也可以通過SECS/GEM界面進行訪問。）
通訊標(biāo)準(zhǔn)：SECS（HSMS-SS）
GUI：圖形用戶界面，帶觸摸屏串行RS-232C，并行I/O
Windows：Windows 8.1+
保修：驗收后12個月，僅限非消耗品