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| 產地類別 | 進口 | 價格區間 | 面議 |
|---|---|---|---|
| 應用領域 | 環保,化工,生物產業,能源,電子/電池 |
太陽能電池載流子特性分析系統
| 詳細說明： | |||
|---|---|---|---|
近年來, 有機半導體材料與器件領域的研究和開發取得了日新月異的進展，其中有機電致發光二極管、有機薄膜晶體管、有機太陽能電池、有機存儲器、有機傳感器、有機激光器等相關有機半導體材料與器件的研究取得了大量的研究成果。隨著有機半導體材料與器件研究和開發的深入, 有機半導體中載流子的傳輸能力是影響有機半導體器件性能的一個重要的因素。衡量有機半導體材料載流子傳輸能力的主要參數是載流子遷移率u, 它直接反映了載流子在電場作用下的運動能力, 因此載流子遷移率的測量是有機半導體材料與器件研究中的重要內容。 我公司推出有機太陽能電池OPV、鈣鈦礦太陽能電池、OLED器件和其他有機半導體器件載流子遷移率測量系統。
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太陽能電池載流子特性分析系統
? 主要應用：
* 無機半導體光電器件，有機半導體光電器件；
* 有機太陽能電池OPV；
* 鈣鈦礦太陽能電池Perovskite Solar Cell，鈣鈦礦LED；
* 無機太陽能電池（例如：單晶硅、多晶硅、非晶硅等硅基太陽能電池）；
* 染料敏化太陽能電池DSSC；
? 主要測量功能：
* 功率點MPP、FF、Voc、Isc、VS 光強，遷移率（I-V測試 & I-V-L測試，空間電荷限制電流SCLC法）
* 載流子密度，載流子動力學過程（瞬態光電流法 TPC）
* 載流子壽命，載流子符合動力學過程（瞬態光電壓/瞬態開路電壓法 TPV）
* 載流子遷移率（暗注入瞬態法 DIT，單載流子器件&OLED）
* 串聯電阻，幾何電容，RC時間（電壓脈沖法 Pulse Voltage）
* 參雜密度，電容率，串聯電阻，載流子遷移率（暗態線性增加載流子瞬態法 Dark-CELIV）
* 載流子遷移率，載流子密度（光照線性增加載流子瞬態法 Photo-CELIV）
* 載流子復合過程，朗之萬函數復合前因子（時間延遲線性增加載流子瞬態法 Delaytime-CELIV）
* 不同工作點的載流子強度，載流子遷移率（注入線性增加載流子瞬態法 Injection-CELIV）
* 幾何電容，電容率（MIS線性增加載流子瞬態法 MIS-CELIV）
* 陷阱強弱度，等效電路（阻抗譜測試 IS）
* 遷移率，陷阱強弱度，電容，串聯電阻（電容VS頻率 C-f）
* 內建電壓，參雜濃度，注入勢壘，幾何電容（電容VS電壓 C-V）
* 點亮電壓（電流電壓照度特性 I-V-L）
* 發光壽命，載流子遷移率（瞬態電致發光法 TEL）
-整合了DC，AC and Transient mode
用于太陽能電池/OLED器件載流子特性測量與分析，通過對器件的變光強J-V曲線、瞬態光電流譜TPC，瞬態光電壓譜TPV、線性增壓載流子抽取Photo-CELIV、強度調制光電流譜IMPS、強度調制光電壓譜IMVS、阻抗譜IS、電容電壓譜CV、深能級瞬態譜DLTS等進行測量分析，表征器件的載流子遷移率、載流子壽命和濃度、載流子動力學過程、摻雜和陷阱分布等性能參數，從而對太陽能電池/OLED器件和其他有機半導體中的載流子遷移率進行有效的分析和測量。
測量參數
• Charge carrier mobility載流子遷移率
• Carrier lifetime載流子壽命
• Recombination efficiency復合效率
• Charge injection barriers電荷注入勢壘
• Geometric capacitance幾何電容
• J-V Curve電流-電壓曲線
• J-V-L 電流-電壓-亮度曲線
• Pmax、FF、Voc、Isc VS光強曲線
• Carrier lifetime載流子壽命
• Trap density陷阱密度
• Trap depth陷阱深度
• Doping density摻雜濃度
• Series resistance串聯電阻
• Electrical permittivity介電常數
• Built-in voltage內建電場
• Emitter lifetime (OLED)發射壽命
• 軟件后處理功能：可獲得更豐富的測試數據
測量曲線：
技術規格
• 采樣率：60MS/s
• 時間分辨率：16ns
• 頻率范圍：10mHz to 10MHz
• 電流分辨率：＜100pA
• LED上升時間：100ns
• 電流范圍：100mA
• 電壓范圍：±12V
可選功能
• Solar Cell Version or/and OLED Version
• Multi-LED模塊:360nm~1100nm for EQE
• 變溫測試臺：-120 °C to 150 °C（多種可選）
• 光譜儀：OLED器件發光光譜測量
• SMU 擴展模塊: 電壓±60V，電流分辨1pA
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