產品概述：
石墨烯生長爐由管式爐+真空系統(tǒng)+供氣系統(tǒng)+水冷系統(tǒng)組成 ，溫度可以達到1200度,可以是單溫區(qū)、雙溫區(qū)、三溫區(qū)等，極限真空可以達到10-3Pa，供氣系統(tǒng)是流量調節(jié)可以是質子流量計或浮子流量計，混氣路數(shù)可以是2路、3路、4路、5路相混合。管式爐采用摻鉬合金加熱絲為加熱元件，采用雙層殼體結構和宇電控溫儀表，能進行30段程序控溫，移相觸發(fā)、可控硅控制，爐膛采用日本進口氧化鋁多晶纖維材料，具有溫場均衡、表面溫度低、節(jié)能等優(yōu)點。 軟件控制系統(tǒng)：該爐配有通訊接口和軟件，可以直接通過電腦控制爐子的各個參數(shù)，并能從電腦上觀察到爐子上PV和SV溫度值和儀表的運行情況，爐子的實際升溫曲線電腦會實時繪出，并能把每個時刻的溫度數(shù)據(jù)保存起來，隨時可以調出。
 

適用范圍：
石墨烯生長爐是一種特殊的CVD系統(tǒng)，是專門為在金屬箔（像銅箔、鋁箔等）上生長薄膜而設計，廣泛應用在新一代能源關于柔性金屬箔電極方面的研究上，特別適用于碳納米管、碳納米線、石墨烯的生長。