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真空鍍膜機是一種在真空環境下，通過物理或化學方法（如蒸發、濺射等）將材料氣化并沉積到工件表面形成薄膜的設備。它廣泛用于光學、電子、裝飾等領域，以提高工件的耐磨性、導電性或美觀性。核心特點是需抽真空以避免氣體干擾，確保薄膜純凈均勻。
EC400產品參數
1.真空腔室：400mm(W)*415mm(D)*450mm(H)
2.SUS304不銹鋼方形腔體，前后開門結構，可獨立使用或與手套箱對接使用。
3.真空系統：分子泵+機械泵，氣動真空閥門，“一低一高”數顯復合真空計。
4.真空極限：優于5.0*10-5Pa
5.抽速：從大氣抽至7.0*10-4Pa≤30min
6.可鍍膜尺寸：≤140mm*140mm
7.基片臺系統：水冷(可選配加熱)
8.基片旋轉：0-60轉/分鐘，可調可控。
9.蒸發源：2組有機蒸發源自帶控溫0-700℃可調，2組金屬蒸發源
10.膜厚不均勻性:≤±5%
11.控制方式：PLC觸摸屏自動控制，程序互鎖保護及異常報警。
12.占地面積：1300mm*910mm(長*寬)
EC400技術優勢
*解決溶液法加工鈣鈦礦的痛點（成膜單一，制程單一）
*良品率高，重復性好。
*操作方便，沉積參數易于控制。
*制膜純度高、質量好，厚度可較準確控制。
*成膜速率快、效率高，采用掩模版可以獲得清晰的圖形。
*薄膜生長機理比較簡單。
MS450產品參數
1.真空腔室：450mm(W)*450mm(D)*380mm(H)
2.SUS304不銹鋼方形腔體，前后開門結構，可獨立使用或與手套箱對接使用。
3.真空系統：分子泵+機械泵，氣動真空閥門，“兩低一高”數顯復合真空計。
4.真空極限：優于5.0*10-5Pa
5.抽速：從大氣抽至7.0*10-4Pa≤30min
6.可鍍膜尺寸：≤125mm*125mm
7.基片臺系統：可升降帶加熱600℃(可選配水冷)
8.基片旋轉：0-60轉/分鐘，可調可控。
9.濺射靶槍：3只3英寸磁控靶槍(DC/RF兼容)
10.膜厚不均勻性:≤±5%
11.控制方式：PLC觸摸屏自動控制，程序互鎖保護及異常報警。
12.占地面積：1500mm*1400mm(長*寬)
真空鍍膜機是現代工業中的“表面魔法師”，通過納米級的薄膜改變材料特性。從手機屏幕到航天器部件，幾乎無處不在。隨著技術進步，鍍膜工藝將繼續推動新材料和制造業的發展。
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