多用途快速退火爐設備，適用于硅，化合物半導體，光子學& MEMS

zui高溫度到1500℃, 升溫速率zui大200℃/s, 高真空性能，快速冷卻選項

應用：•注入退火

•合金接觸

•快速熱氧化(RTO)

•快速熱氮化 (RTN)

•從旋涂摻雜物擴散

•致密性和結晶化

硅化等工藝

基片類型：硅片、化合物半導體硅片、太陽能電池用的多晶硅片、玻璃基片、金屬基片、石墨舟等。

主要特點：•配有無聲風扇冷卻的紅外鹵素管燈退火爐

•不銹鋼冷壁腔室技術

•快速數字PID溫度控制器

•熱電偶和高溫計控制

•大氣和真空下工藝性能

•配有針閥的吹掃氣路

•zui多5路工藝氣路配有數字MFC控制器

配有以太網通訊的PC控制，用于快速數據記錄

•可選渦輪分子泵和壓力控制