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晶圓背減薄地質(zhì)領(lǐng)域應(yīng)用2024/12/05: 通常，標準的晶圓薄片生產(chǎn)可以分為以下步驟：1、現(xiàn)場規(guī)范的刨削和修整；2、對多孔或易碎的材料進行浸漬軟化處理（可選）；3、初步研磨切割材料；4、制備均勻厚度的載玻片；5、將樣本粘合到制備的載玻片上；6、稀釋粘合的樣本；7、將樣品研磨至選定的厚度；8、拋光樣本（可選）。為什么選擇Logitech？1、Logitech在高精度設(shè)備的設(shè)計、制造以及復(fù)雜的材料加工方面擁有50多年的豐富經(jīng)驗，可提供多種多功能系統(tǒng)，用于減薄、研磨、拋光和制備地質(zhì)薄片。2、Logitech專業(yè)技術(shù)團隊在生產(chǎn)高質(zhì)量的地質(zhì)薄片如巖

藍寶石晶圓的研磨拋光2024/12/05: 藍寶石晶圓研磨拋光技術(shù)在現(xiàn)代半導(dǎo)體和光電子行業(yè)中扮演著重要的角色。藍寶石晶圓作為一種優(yōu)質(zhì)的襯底材料，廣泛應(yīng)用于LED、激光器、光電傳感器等高科技領(lǐng)域。而藍寶石晶圓的研磨拋光工藝則是制備高質(zhì)量藍寶石襯底的關(guān)鍵步驟之一。研磨拋光是通過機械摩擦和化學(xué)反應(yīng)的方式，將藍寶石晶圓表面的不平整、氧化物和污染物去除，使其表面變得光滑、平整，并獲得高度的光學(xué)透明度。下面是藍寶石晶圓研磨拋光的主要步驟：首先是準備工作。在進行研磨拋光之前，需要將藍寶石晶圓進行清洗，去除表面的灰塵和雜質(zhì)。然后，將晶圓固定在研磨機上，確

晶圓拋光百科2023/04/12: Logitech公司50多年來一直專注于高精密設(shè)備的設(shè)計和制造，具有豐富的復(fù)雜材料加工處理經(jīng)驗。Logitech精密研磨拋光系統(tǒng)在半導(dǎo)體晶圓表面處理、晶圓減薄（背減）和形狀控制方面提供大量的技術(shù)解決方案。選擇Logitech，我們的專家團隊將與您一起將相關(guān)工藝和系統(tǒng)整合到您的晶圓制備項目中。Logitech系統(tǒng)通常可加工處理硅、砷化鎵、鎘碲化鎘、磷化銦、汞碲化鎘、硫化鎘等多種材料。特征工藝：1.晶圓襯底的粘接工藝，可滿足低、中、高不同的精度要求；2.可通過單頭自動、單工作站或多工作站不同的設(shè)備配

DEMO大連實驗室正式成立2019/09/29: DEMO大連實驗室正式成立，現(xiàn)配有LP70精密研磨拋光設(shè)備、PM6精密研磨拋光設(shè)備、WBS粘片機等，可承接樣品粘片研磨拋光實驗、用戶理論及操作培訓(xùn)、研磨盤修整、夾具修復(fù)及維護等多種業(yè)務(wù)。歡迎廣大新老用戶蒞臨指導(dǎo)。

光電領(lǐng)域晶圓的研磨拋光2018/09/03: Logitech公司擁有超過50年的高精密設(shè)備設(shè)計和制造經(jīng)驗。Logitech精密研磨拋光系統(tǒng)在晶圓表面處理、晶圓減薄（背減）和形狀控制方面提供大量的技術(shù)解決方案，尤其在光電材料加工方面?zhèn)涫芡瞥纭＿x擇Logitech，我們的專家團隊將與您一起將相關(guān)工藝和系統(tǒng)整合到您的晶圓制備項目中。Logitech系統(tǒng)通常可加工處理硅、藍寶石、碳化硅、氮化鎵、鉆石、鈮酸鋰、鉭酸鋰、鉍硅氧化物、鈦酸鋇等多種光電材料。在光電器件拋光方面，Logitech系統(tǒng)可完成如下操作：1、從晶柱上切割晶圓片2、自動研磨晶圓面或

磷化銦晶圓的研磨拋光2018/06/19: 磷化銦（InP）是由銦（In）和磷（P）組成的二元半導(dǎo)體，屬于一組通常稱為III-V半導(dǎo)體的材料。與硅和砷化鎵等更常見的半導(dǎo)體相比，磷化銦具有*的電子速度，常用于制造高功率和高頻率電子器件。磷化銦晶圓加工磷化銦具有與砷化鎵GaAs和大多數(shù)III-V半導(dǎo)體幾乎相同的面心立方晶體結(jié)構(gòu)。磷化銦晶圓必須在器件制造之前準備好，所有III-V晶圓必須重疊以消除切片過程中發(fā)生的表面損傷。然后晶片被化學(xué)機械拋光/分層（CMP）用于終材料去除階段，從而允許獲得具有原子尺度的超平坦粗糙度的鏡像表面。Logitech

砷化鎵晶圓的研磨拋光2018/05/30: 砷化鎵（galliumarsenide），化學(xué)式GaAs。黑灰色固體，熔點1238℃。它在600℃以下，能在空氣中穩(wěn)定存在，并且不被非氧化性的酸侵蝕。砷化鎵是一種重要的半導(dǎo)體材料，屬Ⅲ－Ⅴ族化合物半導(dǎo)體。砷化鎵晶圓的用途各不相同，主要用于一些二極管、場效應(yīng)晶體管（FET）和集成電路（IC）等。砷化鎵可以制成電阻率比硅、鍺高3個數(shù)量級以上的半絕緣高阻材料,用來制作集成電路襯底、紅外探測器、γ光子探測器等。由于其電子遷移率比硅大5～6倍，故在制作微波器件和高速數(shù)字電路方面得到重要應(yīng)用。用砷化鎵制成的

EMA新品介紹-預(yù)填充反應(yīng)管-還原管2018/04/23: SerConANCASL/GSL/Integra同位素質(zhì)譜儀預(yù)填充反應(yīng)管-還原管使用我們預(yù)填充管可以為您節(jié)省時間和金錢：1、直接更換，減少儀器停機時間2、無需測量或處理化學(xué)試劑，避免遺撒浪費，避免直接接觸化學(xué)試劑3、高質(zhì)量試劑，標準化制備，重復(fù)性高，更，更有效4、雙保險密封包裝，確保試劑的性能穩(wěn)定和使用壽命不于以上型號，我們可根據(jù)您的要求填充制備.

PM6 專攻高標準4” InP 晶圓2018/02/26: PM6型精密研磨拋光系統(tǒng)是英國Logitech公司推向市場，應(yīng)用于眾多半導(dǎo)體領(lǐng)域的自動型研磨拋光系統(tǒng)。PM6投入市場后被很多專業(yè)用戶普遍應(yīng)用，受到廣泛贊譽，其中不乏從事有線電視寬帶（CATV）、光纖到戶（FTH）及互聯(lián)網(wǎng)數(shù)據(jù)等光纖產(chǎn)品及服務(wù)的供應(yīng)商。近年，隨著網(wǎng)絡(luò)進一步普及寬帶市場持續(xù)增長，對核心光纖生產(chǎn)技術(shù)提出更高要求。晶圓加工處理技術(shù)作為光纖產(chǎn)品線的重要生產(chǎn)工藝，不僅需要在提高生產(chǎn)能力上不斷突破，更要在產(chǎn)品質(zhì)量上達到非常高的技術(shù)標準。這對生產(chǎn)用戶在技術(shù)指標、產(chǎn)能等方面提出了非常嚴苛的要求。L

見證客戶成功2017/12/14: Logitech一直與世界*大學(xué)合作，始終致力于在不同的應(yīng)用領(lǐng)域提供高精度的系統(tǒng)解決方案。我們需要的是高質(zhì)量的、強健的系統(tǒng)，這些系統(tǒng)能夠提供*的結(jié)果，并使zui大化。了解我們的客戶的研究和發(fā)現(xiàn):下載我們的客戶案例，通過對系統(tǒng)和工藝過程的研究，可以深入了解羅技精密系統(tǒng)。從洞察力中獲益:1、納米晶體金剛石膜的化學(xué)機械拋光(CMP)的成功2、地質(zhì)考古學(xué)和土壤微貌學(xué)的土壤形式和沉積物的形成3、纖維增強熱塑性塑料的研磨和拋光，用于單纖維推出試驗4、用于實現(xiàn)高規(guī)格結(jié)果的設(shè)備和流程路由歡迎大家關(guān)注前沿技術(shù)。

喜聞山東大學(xué)陳秀芳榮獲“第三代半導(dǎo)體青年”2017/09/21: “第三代半導(dǎo)體青年”評選活動，是為了營造青年人才成長的環(huán)境，提升*三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新能力，在第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟青年創(chuàng)新促進委員會在科技部人才中心的指導(dǎo)下成功舉辦。首屆啟動“第三代半導(dǎo)體創(chuàng)新青年”評選通知發(fā)出后，得到了領(lǐng)域內(nèi)青年工作者們的積極參與。經(jīng)組委會初評、評委會專家評分、網(wǎng)絡(luò)投票等幾個環(huán)節(jié)認真的審定，于2016年11月14日在聯(lián)盟第二次會員代表大會上，揭曉了獲得首屆“第三代半導(dǎo)體創(chuàng)新青年”的獲獎人員。我司用戶山東大學(xué)陳秀芳老師榮獲此次大獎，特此祝賀。陳老師的研究課題為P型S

金剛石，工程師的朋友2016/10/28: 金剛石是一種純碳物質(zhì)，也是鉆石的原石。近年來，隨著開發(fā)技術(shù)難題的攻克，具有晶瑩質(zhì)感的鉆石不僅僅是女孩們的zui愛，也成為工程師的朋友。由于金剛石的性能，金剛石納米薄膜已經(jīng)在MEMS、表面聲波（SAW）器件、熱量管理及摩擦涂層等方面得到廣泛應(yīng)用。金剛石生長從應(yīng)用技術(shù)上講需要將納米薄膜置于硅晶片上生長。這個技術(shù)挑戰(zhàn)的關(guān)鍵，是金剛石外延生長不能直接在晶片上進行，需要在生長前先將金剛石納米顆粒種植于晶片上。競爭性的生長過程中，往往導(dǎo)致表面變粗糙，不利于金剛石生長的關(guān)鍵應(yīng)用。為了克服表面粗糙的難題，來自卡

晶體Si片切割表面損傷及其對電學(xué)性能的影響2016/08/09: 摘要：對比觀察了不同工藝條件下金剛石線鋸和砂漿線鋸切割晶體Si片的表面微觀形貌；分析了其切割機理及去除模式；對比分析了三種不同化學(xué)方法鈍化Si片的效果和穩(wěn)定性；采用逐層腐蝕去除Si片的損傷層，使用碘酒對其進行化學(xué)鈍化，然后測試其少子壽命，分析Si片少子壽命隨去除深度的變化趨勢，根據(jù)Si片少子壽命達到zui大值時的腐蝕深度，測試確定Si片的損傷層厚度。經(jīng)實驗測得，砂漿線鋸切割Si片的損傷層厚度為10μm左右，金剛石線鋸切割Si片的損傷層厚度為6μm左右。結(jié)果表明，相比于砂漿線鋸切割Si片，金剛石線

關(guān)于研磨與拋光的微觀機理解析2016/05/05: 研磨指通過研磨的方法，除去切片和輪磨所造成的硅片表面鋸痕及表面的損傷層，有效改善單晶硅片的翹曲度、平坦度與平行度，達到一個拋光過程可以處理的規(guī)格。硅片研磨質(zhì)量直接影響到拋光質(zhì)量及拋光工序的整體效率，甚至影響到IC的性能。硅片研磨加工模型如圖三所示，單晶硅屬于硬脆材料，對其進行研磨，磨料具有滾軋作用和微切削作用，材料的破壞以微小破碎為主，要求研磨后的理想表面形態(tài)是由無數(shù)微小破碎痕跡構(gòu)成的均勻無光澤表面。硅片研磨時，關(guān)鍵要控制裂紋的大小、深度和均勻程度。圖一拋光是對晶片表面微缺陷進行消去、減小的處理

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