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IGBT器件向小型化和低功耗發展

來源:北京榮盛佳利商貿有限公司   2014年11月09日 18:06  

IGBT器件的發展趨勢是減小體積和降低功耗,以節省能源和促進環保。下一代功率器件將向低功耗、高速開關、高EMC、高可靠性、智能化以及表面安裝等方面發展。這有賴于芯片自身的改善,包括結構的改善、性能的改善以及采用新型的半導體材料。東芝電子亞洲有限公司半導體部工程師郭樹坤稱,Toshiba對其未來功率器件提出的目標就是節省能源。該公司正在研制新一代功率器件IEGT(Injection Enhanced Gate Transistor),通過注入少數載流子減小體電阻,并增加功率(高電壓/大電流),其特性包括自保持功能和高速開關,將廣泛應用于大功率設備,如牽引機車、工業設備和功率控制系統。

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