航天元器件有效貯存期和超期復驗要求
Reinspection requirement for valid storaging term and exceeded valid storaging term of aerospace parts

 QJ2227A-2005   航天用電子元器件儲存和超期復驗要求

前言
本標準代替QJ 2227—1992《航天用電子元器件貯存和超期復驗要求》。
本標準與被代替標準相比主要有以下變化：
a） 規定了元器件的有效貯存期；
b） 根據元器件的貯存質量等級和應用場合分級進行有效貯存期的計算；
c） 增加了第二次超期復驗的規定，以適當延長元器件的使用期限；
d） 由于本標準的內容與QJ 2227—1992相比有較大的增加，因此標準的名稱也作了相應的改變。
本標準的附錄A為資料性附錄。
本標準由*公司提出。
本標準由中國航天標準化研究所歸口。
本標準起草單位：中國航天標準化研究所。
本標準主要起草人：余振醒、管長才。
本標準于1992年1月發布，2005年12月*次修訂。

航天元器件有效貯存期和超期復驗要求
1 范圍
本標準規定了航天產品用電氣、電子和機電元器件（以下簡稱元器件）在規定的環境條件下貯存的期限（有效貯存期）；以及超過有效貯存期，在裝機前應通過的檢驗方法和條件。
本標準主要適用于國產元器件，對于未列入本標準的國產元器件亦可參照與該類元器件有相同或相似特征（如制造工藝、結構特點等）的列入本標準的元器件使用。
2 規范性引用文件
下列文件中的條款通過本標準的引用而成為本標準的條款。凡是注日期的引用文件，其隨后所有的修改單（不包含勘誤的內容）或修訂版均不適用于本標準，然而，鼓勵根據本標準達成協議的各方研究是否可使用這些文件的

版本。凡是不注日期的引用文件，其版本適用于本標準。
GB/T 3187 可靠性、維修性術語
GJB 17.6 航空電線電纜試驗方法 烘箱老化試驗
GJB 17.21 航空電線電纜試驗方法 低溫彎曲試驗
GJB 128A—1997 半導體分立器件試驗方法
GJB 360—1996 電子及電氣元件試驗方法
GJB 451 可靠性維修性術語
GJB 548A—1996 微電子器件試驗方法和程序
GJB 1649 電子產品防靜電放電控制大綱
GJB 4027—2000 軍用電子元器件破壞性物理分析方法
GJB/Z 9000 質量管理體系 基礎和術語
3 術語和定義
GB/T 3187、GJB 451和GJB/Z 9000確立的以及下列術語和定義適用于本標準。
3.1
貯存期 storaging term
tS
元器件從生產完成并在生產廠檢驗合格后至裝機前在一定的環境條件下存放的時間。
貯存期的計算按4.2的規定。
注：本標準中的貯存期，均以月表示。
3.2
有效貯存期 valid storaging term
tVS
一定質量等級的元器件在規定的貯存環境條件下存放，裝機前其批質量能滿足要求的期限。
3.3基本有效貯存期 basic valid storaging term
tBVS
未考慮元器件質量等級的有效貯存期。
3.4
貯存質量等級 storaging quality class
Q
根據元器件在制造、檢驗過程中質量控制的嚴格程度，對元器件貯存后性能的影響而確定的等級。
在本標準中規定了四個貯存質量等級，分別以Q1、Q2、Q3、Q4表示。
3.5貯存期調整系數 storaging term adjustment coefficent
cSA
根據元器件不同的貯存質量等級和用途，對基本有效貯存期調整的系數。
3.6
超期復驗 reinspection for exceeded valid storaging term
超過有效貯存期的元器件，在裝機前應進行的一系列檢驗。
3.7
繼續有效期 continued valid term
超期復驗合格的元器件在規定的貯存環境條件下存放，其批質量能滿足要求的期限。
4 一般要求
4.1 貯存環境條件
4.1.1 通用貯存環境條件
元器件應貯存在清潔、通風、無腐蝕氣體并有溫度和相對濕度控制的場所。通用貯存環境條件的分類見表1。
表1 貯存環境條件分類
分 類 代 號 溫 度 ℃ 相 對 濕 度 %
Ⅰ 10～25 25～70
Ⅱ -5～30 20～75
Ⅲ -10～40 20～85
4.1.2 特殊貯存環境條件
某些元器件的存放應滿足以下特殊要求：
a） 對靜電放電敏感的元器件（如MOS器件、微波器件等），應按GJB 1649的規定，采取靜電放電防護措施；
b） 對磁場敏感但本身無磁屏蔽的元件，應存放在具有磁屏蔽作用的容器內；
c） 非密封片狀元器件應存放在充有惰性氣體的密封容器內，或存放在采取有效防氧化措施（如加吸濕劑、防氧化劑等）的密封容器內；
d） 微電機等機電元件的油封及單元包裝應保持完整。
4.2 貯存期的計算

貯存期的起始日期按下列優先順序確定：
a） 經過補充篩選（二次篩選）其篩選項目和條件不少于本標準規定的相應超期復驗中非破壞性檢驗項目，且補充篩選（二次篩選）完成日期或生產日期不超過12 個月的元器件，可按補充篩選（二次篩選）合格證上篩選完成

的日期計算；
b） 按產品合格證上的檢驗日期計算；
c） 元器件上打印的生產日期（或星期）代碼（號），凡僅有年月而無日期的均按該月15 日計算（如為星期代號，則按星期四的日期計算）；
d） 按包裝容器上的包裝日期提前一個月計算；
e） 按元器件驗收日期提前兩個月計算，如果驗收時能確定元器件的生產日期，則應按生產日期計算。
從貯存起始日期至預定裝機日期之間的時間為元器件的貯存期。
4.3 *次超期復驗的分類
貯存期超過有效貯存期的元器件應按本標準的規定進行復驗，復驗通過的元器件，才能作為合格品用于航天產品正（試）樣上。元器件的超期復驗按超過有效貯存期時間的長短分為A1、B1、C1三類：
a） 貯存期已超過有效貯存期，但未超過1.3 倍的為A1 類；
b） 貯存期已超過有效貯存期1.3 倍，但未超過1.7 倍的為B1 類；
c） 貯存期已超過有效貯存期1.7 倍，但未超過2.0 倍的為C1 類。
除非另有規定，凡貯存期已超過有效貯存期2 倍的元器件，不得進行*次超期復驗。
4.4 超過有效貯存期元器件的復驗
4.4.1 復驗批
凡在相同類別的貯存環境條件下存放的元器件，其型號、結構、額定值和電特性以及生產單位相同、貯存起始日期相近（不超過一星期），且為按4.3規定分類的相同類別，構成同一復驗批。除非另有說明，以下的批均指復驗

批。
4.4.2 復驗元器件的失效分析
在復驗過程中發現致命缺陷（功能失效）或嚴重缺陷的元器件，應進行失效分析，如果分析結果表明失效或缺陷為批次性的，則同一生產批的元器件不得用于航天產品正（試）樣上。
4.4.3 復驗后元器件的貯存
復驗合格的元器件應在不低于原貯存的環境條件下繼續存放。復驗不合格的元器件應嚴格隔離。
4.4.4 復驗報告和復驗合格品的標志
承擔復驗任務的單位復驗后應向委托單位提供復驗報告，對元器件復驗的結果作出結論。對復驗合格的元器件應開具復驗合格證，作為允許裝機的憑證。當規定時應在復驗合格的元器件上打上復驗合格品的標志，以便區別于

未超期復驗的元器件。
4.5 第二次超期復驗
已經通過了*次超期復驗的合格元器件，如果其預定裝機的時間將超過5.5規定的繼續有效期，但不超過繼續有效期的2.0倍，允許進行第二次超期復驗。元器件第二次超期復驗按超過繼續有效期時間的長短分為A2、B2、C2

三類：
a） 貯存期已超過繼續有效期，但未超過1.3 倍的為A2 類；
b） 貯存期已超過繼續有效期1.3 倍，但未超過1.7 倍的為B2 類；

c） 貯存期已超過繼續有效期1.7 倍，但未超過2.0 倍的為C2 類。
第二次超期復驗元器件貯存期的起始日期為通過*次超期復驗的日期，其它參照4.2規定。
第二次超期復驗的分類與*次超期復驗的分類雖有差別，但5.4規定的超期復驗要求和5.5規定的繼續有效期兩者是一致的，所以在5.4和5.5中統一稱為A、B、C類。
除非另有規定，通過第二次超期復驗的元器件應在5.5規定的繼續有效期內使用，超過此期限的元器件不允許在航天產品正（試）樣上使用。
4.6 進口元器件有效貯存期及超期復驗要求
進口元器件有效貯存期及超期復驗要求參見附錄A。
5 詳細要求
5.1 基本有效貯存期
元器件的基本有效貯存期與元器件的品種、材料、結構和貯存的環境條件有關。根據表1對貯存條件的分類，分別規定不同種類元器件的基本有效貯存期。
5.1.1 半導體器件的基本有效貯存期
半導體器件的基本有效貯存期按表2規定。
表2 半導體器件的基本有效貯存期 單位：月

5.1.2 電阻器、電容器和電感器的基本有效貯存期
電阻器、電容器和電感器的基本有效貯存期按表3規定。

5.1.3 機電元件和其它元器件的基本有效貯存期
機電元件和其它元器件的基本有效貯存期按表4 規定。

5.2 貯存期調整系數
根據元器件不同的貯存質量等級和用途，對基本有效貯存期調整的系數cSA 如表5 所示。
表5 元器件貯存期調整系數cSA

元器件的用途以表5 中的使用級別來表征。凡是使用在重點工程或一般工程關鍵部位的為1 級使用，其貯存期調整系數以cSA1 表示；一般工程的非關鍵部位為2 級使用，使用其貯存期調整系數以cSA2 表示。
貯存期調整系數僅適用于有效貯存期的調整，對5.5 規定的繼續有效期，不再按調整系數進行調整。
5.3 有效貯存期的計算
元器件的有效貯存期tVS 按公式（1）計算：
tVS＝cSA×tBVS ----（1）
式中：
tVS —— 元器件有效貯存期，單位為月；
cSA —— 元器件貯存期調整系數，使用在1 級應用場合用cSA1，使用在2 級應用場合用cSA2；
tBVS —— 元器件基本有效貯存期，單位為月。

以上計算得出的元器件有效貯存期僅供超期復驗使用，不能取代元器件產品規范中規定的允許貯存
期，也不表明航天用戶對元器件有效貯存期的要求。

5.4 元器件超期復驗要求
5.4.1 A 類超期復驗要求
5.4.1.1 外觀質量檢查
5.4.1.1.1 抽樣方案
若無其它規定，除成盤的電線（含漆包線）、電纜外，其它元器件應全部檢查。電線（含漆包線）及成盤的電纜應在起始端截去0.1m 后，再抽樣110+0 m 作為樣本進行檢查；非成盤的
或長度不超過10m 的電纜可抽取長度10％作為樣本進行檢查。
5.4.1.1.2 檢查方法及批不合格判據
用3～10 倍放大鏡或顯微鏡對元器件進行外觀檢查。元器件引出端斷裂或外殼脫落為致命缺陷；引出端銹蝕或表面損傷為嚴重缺陷；表面鍍涂層脫落、起泡或標志模糊不清但不影響使用為輕缺陷。有這三種缺陷的元器件均為

不合格品，應予剔除。
如檢查結果不合格的元器件的比例超過5%（或至少1 個，取大值），或致命缺陷和嚴重缺陷元器件的比例超過2%（或至少1 個，取大值），則整批元器件不得用于航天產品正（試）樣上。
電線、電纜的外絕緣層或屏蔽層如果有老化變質或銹蝕等情況，應按5.4.3.3 進行破壞性物理分析（DPA），如果分析結果不合格，則整盤電線、電纜不得用于航天產品正（試）樣上。漆包線如果有漆皮脫落或粘附力不強等缺

陷，則整盤漆包線不得用于航天產品正（試）樣上。
5.4.1.2 電特性測試
5.4.1.2.1 抽樣方案
若無其它規定，除成盤的電線（含漆包線）、電纜外，其它元器件應全部檢查。
電線（含漆包線）及成盤的電纜應在起始端截去0.1m 后，再抽樣1010+ m 作為樣本進行檢查；非成盤的或長度不超過10m 的電纜可抽取長度10％作為樣本進行檢查。
5.4.1.2.2 測試方法及批不合格判據
對于入庫時已進行過電特性測試的元器件，應按入庫測試的方法進行相同參數的測試。對于入庫時未進行電特性測試的元器件，應按元器件相應的詳細規范或產品手冊測試功能和主要參數（電線、電纜一般僅要求測試絕緣電

阻和耐電壓）。元器件喪失規定功能為致命缺陷；參數不符合規范要求（參數超差）為非致命缺陷。除非另有規定，測試僅要求在室溫下進行。
如測試結果不合格的元器件的比例超過10%（或至少1 個，取大值），或其中致命缺陷元器件的比例超過3%（或至少1 個，取大值），則整批元器件不得用于航天產品正（試）樣上。
電線（含漆包線）、電纜樣本的電特性不合格，則整盤電線（含漆包線）、電纜不得用于航天產品正（試）樣上。
5.4.1.3 密封性檢查
5.4.1.3.1 抽樣方案
對密封元器件應全部進行密封性檢查。
5.4.1.3.2 檢查方法及批不合格判據
按有關元器件的產品規范（總規范、詳細規范）要求進行密封性檢查；對于無適用產品規范的元器件，半導體分立器件按GJB 128A—1997 方法1071、半導體微電路按GJB 548A—1996 方法1014A、元件按以上計算得出的元器件

有效貯存期僅供超期復驗使用，不能取代元器件產品規范中規定的允許貯存期，也不表明航天用戶對元器件有效貯存期的要求。
5.4.1.3.2 檢查方法及批不合格判據
按有關元器件的產品規范（總規范、詳細規范）要求進行密封性檢查；對于無適用產品規范的元器件，半導體分立器件按GJB 128A—1997 方法1071、半導體微電路按GJB 548A—1996 方法1014A、元件按GJB 360A—1996 方法

112 進行密封性檢查；除非另有規定，對于非固體鉭電容器可用pH 試紙進行檢查，一般不要求進行真空檢漏。
對于入庫時已進行過密封性檢查的元器件，復驗總不合格品超過10%（或至少1 個，取大值）或粗檢漏不合格品超過5%（或至少1 個，取大值）時，則整批不得用于航天產品正（試）樣上；對于入庫時未進行密封性檢查的元器

件，復驗總不合格品超過20%（或至少1 個，取大值）或粗檢漏不合格品超過10%時（或至少1 個，取大值），則整批不得用于航天產品正（試）樣上。
5.4.1.4 A 類超期復驗的結論
通過5.4.1.1～5.4.1.3 檢驗的元器件，剔除不合格品后，其余元器件可作為合格品用于航天產品正（試）樣上。
5.4.2 B 類超期復驗要求
5.4.2.1 外觀質量檢查
按5.4.1.1 的要求進行外觀質量檢查。
5.4.2.2 電特性測試
按5.4.1.2 要求在室溫下測試主要的電特性，適用時還應按產品規范要求在高、低溫下測試元器件的電特性。對于入庫時已進行過高、低溫電特性測試的元器件，如果高、低溫測試不合格元器件的比例超過7%（或至少1 個，

取大值），則整批元器件不得用于航天產品正（試）樣上。對于入庫時未進行過高、低溫電特性測試的元器件，應按補充篩選（二次篩選）的要求進行高、低溫測試。
其它電特性的批不合格判據同5.4.1.2.2 規定。
5.4.2.3 密封性檢查
按5.4.1.3 規定。
5.4.2.4 烘箱老化及低溫彎曲試驗
對電線（含漆包線）、電纜應參照GJB 17.6 和GJB 17.21 的規定，分別抽樣進行烘箱老化試驗和低溫彎曲試驗。
5.4.2.5 引出端可焊性試驗
引出端可焊性試驗的樣品應從外觀質量檢查合格的元器件中抽取，若無其它規定允許抽取電參數不合格的元器件作為樣品。引出端可焊性試驗要求按表6 的規定進行。
表6 引出端可焊性試驗要求

5.4.2.6 B 類超期復驗的結論
通過5.4.2.1～5.4.2.5 檢驗的元器件，剔除不合格品后，其余元器件可作為合格品用于航天產品正（試）樣上。
5.4.3 C 類超期復驗要求
5.4.3.1 通則
C 類超期元器件除按5.4.2.1～5.4.2.5 要求進行各項檢驗外，對部分元器件還應增加以下檢驗項目。
5.4.3.2 引出端強度試驗
引出端強度試驗的樣品應從外觀質量檢查合格的元器件中抽取，若無其它規定允許抽取電參數不合格或已做過可焊性試驗的元器件作為樣品。引出端強度試驗按表7 的規定進行。
表7 引出端強度試驗要求

5.4.3.3 破壞性物理分析（DPA）
5.4.3.3.1 通則半導體器件、非固體鉭電容器、密封電磁繼電器、金屬殼封裝的石英諧振器和振蕩器、電線（含漆包
線）進行C 類復驗時，應抽樣做破壞性物理分析（DPA）。當規定時其它元器件也應做破壞性物理分析（DPA）。
5.4.3.3.2 樣本大小
除非另有規定，DPA 可用電特性不合格但未喪失功能的元器件作為樣本。DPA 的zui小樣本大小及合格判定數見表8。
表8 破壞性物理分析zui小樣本大小及合格判定數

5.4.3.3.3 DPA 方法和批不合格判據
元器件DPA 方法按GJB 4027—2000 規定，也可按更嚴格和合理的方法進行DPA 試驗。DPA 方法和缺陷判據除按GJB 4027—2000 或其它更嚴格和合理的規定外，特提出以下補充要求：
a） 除非另有規定，在超期復驗中已做過GJB 4027—2000 規定的檢驗項目可不再進行。
b） 對半導體器件（分立器件及集成電路）、密封電磁繼電器、石英諧振器、振蕩器進行內部目檢時，如果發現腐蝕等批次性失效模式，則整批不得用于航天產品正（試）樣上。
c） 對非固體鉭電容器進行內部目檢時，當發現內壁有腐蝕孔或普遍腐蝕的現象，其深度達到外殼厚度的四分之一以上時，則整批不得用于航天產品正（試）樣上。
d） 除非另有規定，玻璃管殼封裝的元器件一般不要求解剖后進行DPA，對于透明外殼可用溶劑去除涂敷層后，用適當放大倍數的放大鏡或顯微鏡檢查其內部質量，當發現有腐蝕現象，則整批不得用于航天產品正（試）樣上。
e） 將成盤的電線（含漆包線）、電纜的起始端截去0.1m 后，再截取1m 作為樣品；非成盤的電纜按其長度的10％（或至少1m，取小值）作為樣品。對于有外絕緣層或屏蔽套的電線、電纜，應剝開外絕緣體或屏蔽套，用適當

放大倍數的放大鏡或顯微鏡觀察其質量，當發現絕緣層或屏蔽套有腐蝕或生銹現象，則整盤電線、電纜不得用于航天產品正（試）樣上。漆包線用放大倍數不低于10 倍的放大鏡或顯微鏡觀察其外表質量，并在漆包線樣品的中

間部位用手彎折90°±5°（彎曲的曲率半徑可取漆包線直徑的4～5 倍），往返5 次。如果發現漆皮起皺、脫落或導體銹蝕等缺
陷，則整盤漆包線不得用于航天產品正（試）樣上。用放大倍數不低于10 倍的放大鏡或顯微鏡檢查電線、電纜線芯，如果發現有氧化、銹蝕等情況，則整盤電線、電纜不得用于航天產品正（試）樣上。
5.4.3.4 C 類超期復驗的結論
通過5.4.2.1～5.4.2.5 和5.4.3.2、5.4.3.3 檢驗的元器件，剔除不合格品后，其余元器件可作為合格品用于航天產品正（試）樣上。
5.5 超期復驗后的繼續有效期
超過有效貯存期的元器件，經超期復驗（包括第二次超期復驗）合格后，在不低于原貯存環境條件下存放，元器件的繼續有效期分別見表9、表10 和表11。
表9 半導體器件的繼續有效期

附 錄 A
（資料性附錄）
進口元器件有效貯存期及超期復驗要求
A.1 貯存環境條件
下列進口元器件按表1 的Ⅰ類環境條件貯存。對于集成電路應盡可能在充氮、抽真空條件下存放。
A.2 質量情況
進口元器件應通過正常渠道采購，并經使用方驗收合格。
A.3 有效貯存期及超期復驗要求
滿足A.1、A.2要求的進口元器件，其有效貯存期及超期復驗要求按表A.1規定