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摘要
在半導(dǎo)體行業(yè)需要應(yīng)用ICP-MS監(jiān)測(cè)芯片制造 過(guò)程中的清洗液中磷的含量。磷的質(zhì)荷比為31 ，會(huì) 受到N15O16 、 Si28H1 、 N14O16H1等多原子離子 的干擾 ， 以至于背景信號(hào)特別高 ，檢出限難以滿足 要求 。 故本實(shí)驗(yàn)采用冷焰條件 ， 通過(guò)P31O16測(cè)試 某芯片制造廣生產(chǎn)過(guò)程中的清洗液 。 檢出限低至 0.037ug/L ， 同時(shí)對(duì)比了熱焰情況下 、 ICPMS的測(cè) 試結(jié)果及ICP-OES的測(cè)試結(jié)果 ，結(jié)果表明 ， 三者結(jié)果相近。
挑戰(zhàn)
通過(guò)P31O16測(cè)試P ， 避免N15O16、
Si28H1、 N14O16H1的干擾 ， 獲得 更低檢出限
基體
1%HNO3
目的
檢測(cè)低含量P
樣品和試劑
表 1 校準(zhǔn)曲線
儀器方法
表2 PQMS配置參數(shù)
結(jié)果
表3 測(cè)試結(jié)果
表4 標(biāo)準(zhǔn)曲線及LOD
討論
本實(shí)驗(yàn)采用冷焰條件 ，通過(guò)P31O16測(cè)試某芯片制造廣生產(chǎn)過(guò)程中的清洗液。線性相關(guān) 系數(shù)0.999879 ，檢出限低至0.0374ug/L。 同時(shí)對(duì)比了冷焰條件、熱焰條件下ICPMS的測(cè)試結(jié) 果及ICP-OES的測(cè)試結(jié)果 ，結(jié)果表明 ，三者結(jié)果相近 ，充分證明了采用冷焰條件 ，通過(guò)測(cè)試 P31O16測(cè)試樣品中的P是一種可靠的方法。
產(chǎn)品介紹
PlasmaQuant MS 靈敏度可顯著提高樣品分析效率降低單樣品分析成本。設(shè)計(jì)的ICP-MS分析確保在極短的積分時(shí)間或大比例稀釋的前提下，依然可以獲得的檢出限和恒定的分析速率。這就保證了最大的樣品通量、分析結(jié)果的長(zhǎng)期穩(wěn)定性及重復(fù)性，并顯著減少日常維護(hù)頻率。
優(yōu)勢(shì)：
· 超高靈敏度： 靈敏度【cps/ppm】低質(zhì)量數(shù)：7Li ≥100 M，中質(zhì)量數(shù)：115In ≥500 M，高質(zhì)量數(shù)：238U ≥500 M; 氧化物產(chǎn)率（CeO+/Ce+）：≤1.8 %
· 運(yùn)行成本：氬氣消耗降低50%
·高效：樣品分析速率提升 50%
· 穩(wěn)定：輕松應(yīng)對(duì)各種復(fù)雜基體，確保優(yōu)異的長(zhǎng)期穩(wěn)定性
·靈活：根據(jù)不同應(yīng)用多樣化配置儀器
相關(guān)產(chǎn)品
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