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測量鍺單晶壽命需配置適當波長的光源——紅外光在硅單晶內穿透深大于500μm

來源：北京中慧天誠科技有限公司 2025年06月17日 22:16

高頻光電導少數載流子壽命測試儀是按照半導體設備和材料（F28-75）及GB/T1553的要求，采用高頻光電導衰減測量方法，適用于硅、鍺單晶的少數載流子壽命測量，硅單晶壽命測量ρ≥2Ω·cm。

規格參數：

測試范圍：5-10000μs；

電阻率范圍：ρ≥2Ω·cm

參雜硅單晶片（厚度小于1mm），電阻率范圍：ρ＞0.1Ω·cm

重復性誤差：≤±20%

光脈沖發生裝置

重復頻率：＞20~30次/s

光脈沖關斷時間：0.2-1μs，余輝＜1μs

紅外光源波長：1.06-1.09μm（測量硅單晶），紅外光在硅單晶內穿透深大于500μm如測量鍺單晶壽命需配置適當波長的光源

脈沖電源：5A-20A

高頻振蕩源

石英諧振器頻率：30MHz

輸出功率：＞1W

放大器、檢波器

放大倍數：25倍

頻寬范圍：2Hz-2MHz

光源電極臺：可測縱向放置的單晶、豎放單晶橫載面的壽命

可測單晶尺寸：

斷面豎測：直徑25-150，厚2mm-500mm

縱向臥測：直徑5mm-150mm，長50mm-800mm

讀數方式：可選配測試軟件或數字示波器讀數

測試軟件：具有自動保存數據及測試點衰減波形，可進行查詢歷史數據和導出歷史數據等操作。

高頻光電導壽命測試儀/高頻光電導少子壽命測試儀（學校用）

型號：KDKLT-1

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