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直流磁控濺射儀是一種基于磁場與直流電場協同作用實現金屬薄膜快速沉積的表面鍍膜設備,直流磁控濺射儀主要用于在真空室內通過直流電源施加電壓，使氬氣電離,產生的氬離子轟擊靶材 ，使靶材表面的原子或分子沉積在基片上形成薄膜。
直流濺射磁控儀的優點包括基片升溫低、沉積速率快、膜層損傷小等。只要能把材料制成靶材，都可以使用直流濺射磁控儀進行濺射鍍膜。同時，濺射所制備的薄膜在膜基結合力、致密性、純度和成膜均勻性等方面都有良好的表現。此外，它的制備工藝具有很好的重復性和厚度均勻性，適用于大面積制備薄膜，且涂層的厚度可以通過膜厚儀進行準確控制。相較于傳統濺射，效率明顯提升。磁場約束電子運動軌跡，延長其路徑，增加電離幾率，形成高密度等離子體，提升沉積效率。冷濺射技術適用于溫度敏感樣品。電子在磁場約束下，大部分能量被消耗在與氬原子的碰撞和電離過程中，減少了電子直接轟擊基片的能量，從而有效降低基片溫度。
直流磁控濺射儀的工作原理如下：
真空室內的氣體電離：在真空室內充入適量的氬氣，通過直流電源在陰極(靶材)和陽極(鍍膜室壁)之間施加電壓，使氬氣電離產生氬離子(Ar+)和電子。
轟擊靶材：氬離子在電場作用下轟擊靶材表面，使靶材表面的原子或分子被濺射出來。
沉積薄膜：濺射出的原子或分子沉積在基片上，形成所需的薄膜。
二次電子的約束：產生的二次電子在電場和磁場的共同作用下，做螺旋運動，延長了在等離子體中的停留時間，進一步電離出大量的氬離子，提高沉積速率。
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