DDR3 SDRAM
雙向差分數據選通
寫入命令的每字節數據屏蔽
可編程突發長度為4或8
可編程CAS延遲
自動刷新和自刷新模式
OCD（駕駛員調整）
支持ODT（片上端接）
寫入調配
長期支持
DDR3 SDRAM
1.5V DDR3 SDRAM
1.35伏DDR3L SDRAM
1.5V DDR3 SDRAM汽車
1.35V DDR3L SDRAM汽車
更多DRAM產品
DDR4 SDRAM
帶ECC的DDR3 SDRAM
1.8V DDR2 SDRAM
2.5V DDR SDRAM
3.3伏SDR SDRAM
EDO和快速頁面模式DRAM
RLDRAM®2/3eMMC：
-錯誤空閑內存訪問
-安全功能
-縮短上市時間
-提高了系統性能
-增強模式（pSLC）

UFS：
-低壓差分信號（LVDS）信號。
-具有高速串行接口的高性能
-支持同時讀寫的全雙工接口。
-低能耗
-可靠的高級物理、鏈路和命令協議層
-支持高級功能，如深度睡眠、寫入增強、主機性能增強（HPB2.0）和對主機的限制通知。

溫度等級：
-工業溫度等級：-40至+85°C
-自動坡度：最高+105°C


ISSI eMMC產品系列提供了理想的嵌入式存儲解決方案
用于汽車、工業和醫療應用，這些應用要求很高
性能、在寬范圍的工作溫度下的耐久性，
以及長期支持。這些產品也在Industrial中提供
在100球BGA和153球BGA中均為汽車級。
eMMC集成了NAND閃存和智能e.MMC
一個JEDEC標準封裝內的控制器，提供標準
接口到主機。控制器直接管理NAND閃存，
實現諸如壞塊管理、錯誤處理（ECC）等功能，
靜態和動態損耗均衡、IOPS優化和讀取傳感。
ISSI eMMC設備支持增強模式，其中設備可以
被配置為用于更高讀/寫性能的偽SLC（pSLC），
耐久性和可靠性