二硫化鉬（Molybdenum Disulfide，MoS2）是一種屬于過渡金屬二硫族化合物（TMDs）家族的二維材料。由于其原子層厚度，MoS2具有獨特的電子和光學特性。利用各種薄膜沉積技術在硅（Si）襯底上制備的MoS2薄膜材料，在電子學和光電子學應用方面具有重要的前景，包括場效應晶體管（FETs）、光電探測器、傳感器和其他電子和光電子器件等。下圖為Si基底制備MoS2薄膜的樣品外觀及SEM表面形貌。肉眼觀察及光學放大觀察時，樣品表面看起來是均勻的。在樣品上選擇兩個位置獲取SEM圖像，結果表明，不同位置測試的表面形貌有著明顯的差異：P2位置的三角形結構面內密度明顯比P1位置的要更高一些。

使用XPS分析該表面化學成分，結果如下圖。進一步地，使用了XPS設備上可選的拉曼（Raman）附件對樣品同一位置進行分析，得到樣品分子結構信息。結果表明，P1和P2位置的XPS和Raman結果也不同。XPS結果表明，P2位置的Mo3d譜圖呈現出更高含量的氧化態（Mo6+）。Raman數據中，P2位置的特征峰間距較P1位置的更寬，結合參考文獻給出的體相MoS2峰間距信息，可表明P2位置的MoS2的分布層數更多，比P1有更多的MoS2覆蓋，該結果與SEM信息一致。

通過聯用流程，我們實現了樣品表面形貌數據與XPS和Raman數據相互關聯，最大限度避免了不同測試位置數據的混淆，保證了毫無疑問的數據一致性。