9月，這些MEMS技術(shù)新國家標(biāo)準(zhǔn)實(shí)施！2023年預(yù)計將有7項(xiàng)新MEMS技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)落地！還有10項(xiàng)MEMS新國家標(biāo)準(zhǔn)正在起草！

  據(jù)全國標(biāo)準(zhǔn)信息公共服務(wù)平臺網(wǎng)站顯示，全國微機(jī)電技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會SAC/TC336（簡稱“微機(jī)電標(biāo)委會”）——MEMS技術(shù)國家標(biāo)準(zhǔn)主要?dú)w口單位，發(fā)布多項(xiàng)MEMS技術(shù)國家標(biāo)準(zhǔn)制定情況。
  目前，我國MEMS技術(shù)國家標(biāo)準(zhǔn)正在實(shí)行/即將實(shí)施的有31項(xiàng)，10項(xiàng)標(biāo)準(zhǔn)已上升為IEC國際標(biāo)準(zhǔn)。其中3項(xiàng)標(biāo)準(zhǔn)自9月1日開始正式實(shí)施，分別是：

  GB/T 42191-2023MEMS壓阻式壓力敏感器件性能試驗(yàn)方法

  GB/T 42597-2023 微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）技術(shù) 陀螺儀

  GB/T 26111-2023微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）技術(shù)術(shù)語

其中《GB/T 26111-2023 微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）技術(shù)術(shù)語》 標(biāo)準(zhǔn)主要界定了微機(jī)電系統(tǒng)器件及其生產(chǎn)工藝相關(guān)的術(shù)語和定義，適用于微機(jī)電系統(tǒng)領(lǐng)域的研究、開發(fā)、評測和應(yīng)用。
該標(biāo)準(zhǔn)文件，全部替代實(shí)施于2011年1月的舊標(biāo)準(zhǔn)GB/T 26111-2010。
此外，《GB/T 42191-2023 MEMS壓阻式壓力敏感器件性能試驗(yàn)方法》和《GB/T 42597-2023 微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）技術(shù) 陀螺儀》均為新設(shè)立的標(biāo)準(zhǔn)。
《GB/T 42191-2023 MEMS壓阻式壓力敏感器件性能試驗(yàn)方法》文件描述了 MEMS 壓阻式壓力敏感器件試驗(yàn)條件和試驗(yàn)方法，適用于 MEMS 壓阻式壓力敏感器件。
《GB/T 42597-2023 微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）技術(shù) 陀螺儀》文件規(guī)定了陀螺儀的術(shù)語和定義、額定值、性能參數(shù)及測量方法。陀螺儀主要用于消費(fèi)電子、工業(yè)和航空航天等。陀螺儀廣泛采用MEMS和半導(dǎo)體激光器技術(shù)。
另有3項(xiàng)MEMS標(biāo)準(zhǔn)已通過審核將在今年12月實(shí)施，分別是：

GB/T 42895-2023 微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）技術(shù) 硅基MEMS微結(jié)構(gòu)彎曲強(qiáng)度試驗(yàn)方法

GB/T 42896-2023 微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）技術(shù) 硅基MEMS納尺度結(jié)構(gòu)沖擊試驗(yàn)方法

GB/T 42897-2023 微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）技術(shù) 硅基MEMS納米厚度膜抗拉強(qiáng)度試驗(yàn)方法
值得一提的是，還有10項(xiàng)MEMS新標(biāo)準(zhǔn)正在起草制定中，這些標(biāo)準(zhǔn)的制定計劃都是在2022年下達(dá)的。
全國微機(jī)電技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會成立于2008年，目前包括即將實(shí)施的標(biāo)準(zhǔn)在內(nèi)，共有31項(xiàng)MEMS標(biāo)準(zhǔn)，可見近年來我國MEMS標(biāo)準(zhǔn)建設(shè)正在加速。