2dsemiconductors MBE-MoSe2說明書
2D MBE MoSe2
分子式: MoSe2
2D MBE MoSe2
一個分子束外延 (MBE) 生長的 MoSe2 單分子層。MBE 是一種用于單晶質(zhì)量薄膜沉積的外延方法,與化學氣相沉積 (CVD) 或金屬有機化學氣相沉積 (MOCVD) 技術(shù)相比,它提供了高結(jié)晶度和降低的缺陷密度(參見下面的 HRTEM 圖像)。MoSe2 單層的 MBE 生長發(fā)生在 MBE 室中,基礎(chǔ)壓力為 8E-9 Torr,沉積速率極慢(每秒 5-100 個原子)以達到結(jié)構(gòu)。典型的 MBE 生長在雙面拋光 c 切藍寶石上產(chǎn)生單層厚的 MoSe2 隔離三角形。目前,MBE MoSe2 僅在藍寶石基板上提供,但在不久的將來,我們的 MBE 基板還將包括云母、石墨和金。
MBE、CVD、MOCVD的比較
MBE、CVD和MOCVD之間的TEM比較
從 MBE MoSe2 收集的光學圖像
MBE MoSe2 懸浮在 TEM 網(wǎng)格上
從 MBE MoSe2 收集的 PL 光譜
從 MBE MoSe2 收集的拉曼光譜
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