富士IGBT功率模塊在變頻器中的應用：由 于IGBT模塊MOSFET結構,IGBT網格通過一層氧化膜和發射器實現電氣隔離。由于氧化膜非常薄,其擊穿電壓一般20 ~ 30 v 。因此引起的靜態電網故障的常見原因之一IGBT的失敗。因此使用應注意以下幾點：使用模塊時，不要觸摸驅動器終端部分，當觸摸模塊終端靜電對人體或 衣服大電阻接地放電后,再次觸摸;與導電材料模塊驅動程序終端連接,連接沒有連接之前請不要插入模塊;地板的條件下盡可能好的接地操作。有時，盡管在應用 程序以確保門驅動電壓不超過電網大額定電壓，但網格之間的寄生電感和電容耦合連接網格和收藏家,也會產生氧化層損壞的振蕩電壓。為此，通常由雙絞線傳輸 信號，以減少寄生電感。小電阻串聯在電網連接也可以抑制振蕩電壓。此外，在開放的柵極,如果電極間的電壓和收集器和發射,電極電位的變化,由于泄漏電流流 經收集器,更高的柵極電壓,電流流經收集器。此時，如果收藏家和發射電極的高電壓，它可以使IGBT發燒時損壞。IGBT的使用場合,當柵極電路正常或柵 極電路損壞(網格在開路狀態),如果在主電路和電壓,IGBT將受損,為了防止此類故障,應該是門和發射極之間串接一個10 kΩ阻力。安裝或更換IGBT模塊的時候,我們應該高度重視的接觸狀態IGBT模塊與散熱器和收緊。為了減少接觸熱阻,散熱器和IGBT模塊之間的熱 導電硅膠。一般散熱器安裝在底部的冷卻風扇,當散熱器冷卻的冷卻風扇損壞壞熱將導致IGBT模塊,和失敗。定期檢查冷卻風扇,通常在附近的散熱器IGBT 模塊配備溫度傳感器,當溫度太高會提醒或停止富士IGBT功率模塊的工作。

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