高頻光電導少數載流子壽命測試儀用于硅、鍺單晶的少數載流子壽命測量，除需要有一個測量平面外，對樣塊體形嚴格要求，可測塊狀和片狀單晶壽命。壽命測量可靈敏地反映單晶體內金屬雜質污染及缺陷存在的情況，是單晶質的重要檢測項目。

子壽命測定儀產品簡介：
高頻光電導少數載流子壽命測試儀儀器采用GB/T1553-1997中硅單晶少數載流子壽命測定高頻光電導衰減法，主于測量高阻長壽命單晶，現在已經在半導體材料有限公司、研究所、峨嵋半導體材料廠、半導體材料有限公司等投入使用。
少子壽命測定儀參數：
測試單晶電阻率范圍：ρ﹥2Ω•cm
可測單晶少子壽命范圍：5μs~10000μs
紅外光源配置： 波長1.06～1.09μm
儀器測量重復誤差：﹤±25%
測量方式：采用數字示波器直接讀數方式
消耗功率：﹤50W
工作條件：
溫        度：10-35℃
濕        度：﹤65%
使用電源：AC220V 50HZ（建議配置穩壓電源）
可測單晶尺寸：
斷面豎測：
直        徑：25mm-150mm
厚        度：2mm-500mm
縱向臥測：
直        徑：5mm-20mm
長        度：50mm-800mm
高頻振蕩源：用石英諧振器，振蕩頻率30MHZ
前置放大器，放大倍數約25，頻寬2HZ-2MHZ
可根據已知壽命樣品調校測量壽命值，可調范圍廣