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    在半導體行業(yè)，氣態(tài)加工材料已用于干法清洗、干法刻蝕、化學氣相沉積(CVD)和物理氣相沉積(PVD)等流程，但由于樣品制備困難和分析不準確等原因，其分析受到了限制。傳統(tǒng)的氣態(tài)材料分析方法，一種是通過空氣采樣器鼓泡法(Impinger Bubbling) ,使用酸性氣體或超純水來吸收和溶解氣體樣品中的目標雜質；另一種是通過預處理,使用ICP-MS對雜質進行量化。預處理方法包括:在使用粒子過濾器收集粒子之后，對收集到的粒子進行酸解。然而,由于各種各樣的原因，例如雜質捕獲引起的時間問題,收集過程中遇到的外部污染,以及各種金屬對不同的酸有不同的溶解度,這兩種方法在分析結果可重現(xiàn)性方面均有局限性。

 

    本文中介紹了一種新的分析方法，不對氣體樣品進行前處理，使用全氟聚合物膜實現(xiàn)目標氣體向氬氣的置換，直接進樣到ICP-MS，直接分析其中的金屬雜質。