在這種情況下，雖然可以用ICP、ICP-MS對高純硅進行分析,但在預處理過程中必須添加大量HF來使Si*溶解,分析時存在一定難度。使用ICP、ICP-MS分析時存在光學干擾,而儀器的結構又決定了Si的檢出限比其他元素更高,所以為了分析低濃度的Si,必須去除光學干擾或更換儀器進樣系統(霧室、霧化器、中心管、炬管)。
本實驗的目的是利用NexION的DRC模式確定分析Si的條件。
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