產品簡介
產品貨號: wi96263
產????地: ***產
詳細介紹
單晶少子壽命測試儀是參考美*** A.S.T.M 標準而設計的用于測量硅單晶的非平衡少數載流子壽命。半導體材料的少數載流子壽命測量,是半導體的常規測試項目之一。本儀器靈敏度較高,配備有紅外光源,可測量包括集成電路級硅單晶在內的各種類型硅單晶,以及經熱處理后壽命驟降的硅單晶、多晶磷檢棒的壽命測量等。 本儀器根據***際通用方法高頻光電導衰退法的原理設計,由穩壓電源、高頻源、檢波放大器,特制的InGaAsp/InP紅外光源及樣品臺共五部份組成。采用印刷電路和高頻接插連接。整機結構緊湊、測量數據可靠。 技 術 指 標 : 測試單晶電阻率范圍 >2Ω.cm 可測單晶少子壽命范圍 5μS~7000μS 配備光源類型 波長:1.09μm;余輝<1 μS; 閃光頻率為:20~30次/秒; 閃光頻率為:20~30次/秒; 高頻振蕩源 用石英諧振器,振蕩頻率:30MH*** 前置放大器 放大倍數約25,頻寬2 H***-1 MH*** 儀器測量重復誤差 <±20% 測量方式 采用對標準曲線讀數方式 儀器消耗功率 <25W 儀器工作條件 溫度: 10-35℃、 濕度 < 80%、使用電源:AC 220V,50H*** 可測單晶尺寸 斷面豎測:φ25mm—150mm; L 2mm—500mm; 縱向臥測:φ25mm—150mm; L 50mm—800mm; 配用示波器 頻寬0—20MH***; 電壓靈敏:10mV/cm;