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長曝光制冷CMOS相機(jī) FL 9BW 是鑫圖針對長曝光應(yīng)用開發(fā)的新一代深度制冷CMOS相機(jī)。它采用索尼新一代的背照式CMOS芯片技術(shù)和鑫圖*制冷密封工藝、圖像降噪技術(shù)聯(lián)合打造，不僅長曝光關(guān)鍵性能達(dá)到了深度制冷CCD的水平，還同時具有現(xiàn)代CMOS高靈敏度、高速、高動態(tài)等性能特征，可以很好的替代制冷CCD長曝光應(yīng)用。

<0.0005 e-/p/s暗電流 可替代冷CCD長曝光應(yīng)用

FL 9BW暗電流已低至0.0005 e-/p/s, 制冷深度可達(dá)-25℃，關(guān)鍵性能達(dá)到了深度制冷CCD相當(dāng)?shù)乃健Ｔ趡10分鐘長曝光的條件下，F(xiàn)L 9BW仍能獲取高信噪比(SNR)的圖像，且在正常曝光時間內(nèi) (60分鐘)，信噪比都優(yōu)于695 CCD。

背景均一 定量分析更精準(zhǔn)

FL 9BW同時集成了索尼芯片優(yōu)異的輝光抑制能力和鑫圖*圖像降噪處理技術(shù)，基本杜絕了邊角亮光、壞點(diǎn)像素等不良制程因素對正常信號的干擾，成像背景均一，更適合定量分析應(yīng)用。

SONY 背照式科學(xué)級芯片 綜合成像性能*

FL 9BW采用索尼新一代背照式科學(xué)級CMOS芯片，不僅長曝光性能和CCD相當(dāng)，峰值量子效率高達(dá)92%，讀出噪聲僅0.9 e-，弱光成像能力碾壓CCD，動態(tài)范圍更是傳統(tǒng)CCD的4倍以上，綜合成像性能十分*。

典型應(yīng)用參考