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磁電耦合測(cè)量系統(tǒng)

·磁電耦合系數(shù)

      磁電耦合系數(shù)（Mangnetoelectric Voltage Coefficient, α_E=dP/dH ）是表征多鐵材料磁電耦合效應(yīng)強(qiáng)弱最直接方式，也是最容易通過實(shí)驗(yàn)測(cè)得的參數(shù)。磁電耦合系數(shù)分別正磁電耦合系數(shù)和逆磁電耦合系數(shù)，一般情況下二者大小相同。現(xiàn)在最為通用的測(cè)量正磁電耦合系數(shù)的原理通過對(duì)樣品施加交變磁場(chǎng)，具有磁電耦合效應(yīng)的多鐵材料就會(huì)感生出相同頻率的交變電壓，再通過鎖相技術(shù)得到磁電耦合電壓的值，如圖1所示。此時(shí)，磁電耦合系數(shù)的單位為V/(cm·Oe)。

圖1 磁電耦合電壓測(cè)試原理圖

·技術(shù)指標(biāo)

      本產(chǎn)品提供包括樣品桿、螺線管、樣品托等，可在OxfordPT®、Quantum Design PPMS®、Cryogenics® 、Janis®等各種低溫強(qiáng)磁場(chǎng)平臺(tái)使用。在1.8 K~400 K和0 T~13 T范圍內(nèi)具有很高的信噪比。此外，可以有多種測(cè)量方式，交變磁場(chǎng)和外加直流磁場(chǎng)可以施加在樣品的面內(nèi)和面外方向，并且可以選購(gòu)具有轉(zhuǎn)角功能的樣品桿，可以實(shí)現(xiàn)磁場(chǎng)面內(nèi)和面外360°的轉(zhuǎn)角，為磁電耦合系數(shù)測(cè)量提供更多角度。

磁電耦合測(cè)量系統(tǒng)

·實(shí)例

       復(fù)合磁電耦合材料因?yàn)榫哂性谑覝叵麓蟮拇烹婑詈舷禂?shù)而被廣泛的研究，其中Ni/PMN-PT/Ni trilayer因?yàn)槠浜?jiǎn)單的結(jié)構(gòu)和材料成為研究的熱點(diǎn)，圖2是應(yīng)用本產(chǎn)品測(cè)試的Ni/PMN-PT/Ni的磁電耦合系數(shù)隨外加直流磁場(chǎng)的變化，可以看出數(shù)據(jù)在μV量級(jí)仍然有很好的信噪比。

圖2 Ni/PMN-PT/Ni磁電耦合系數(shù)隨磁場(chǎng)的變化