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MOS管動態參數測試儀ITC57300
  • MOS管動態參數測試儀ITC57300
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貨物所在地:廣東深圳市

更新時間:2024-09-09 10:28:55

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MOS管動態參數測試儀ITC57300
ITC57300是美國ITC公司設計生產的高集成度功率半導體分立器件動態參數測試設備,采用測試主機+功能測試頭+個性板的測試架構,可以滿足N溝道、P溝道器件、雙極晶體管等的各項動態參數的測試要求,且具有波形實時顯示分析功能,是目前具水平的完備可靠的動態參數測試設備。

MOS管動態參數測試儀ITC57300

華科智源專業研發生產半導體測試設備,提供ITC57300mos管IGBT功率器件動態參數測試儀,大功率IGBT到小功率管MOS的測試, 包括動態參數和靜態參數測試,雪崩能量測試以及熱阻測試, 索取相關資料和報價請聯系陳先生

ITC57300是美國ITC公司設計生產的高集成度功率半導體分立器件動態參數測試設備,采用測試主機+功能測試頭+個性板的測試架構,可以滿足N溝道、P溝道器件、雙極晶體管等的各項動態參數的測試要求,且具有波形實時顯示分析功能,是目前具水平的完備可靠的動態參數測試設備。
ITC57300動態參數測試系統主機可執行非破壞性的瞬態測量測試,包括對半導體器件絕緣柵雙極晶體管(IGBT),功率MOSFET,二極管,雙極型器件的測試頭。主機包括所有測試設備和必要的軟件分析,可執行電阻和電感的開關時間,開關損耗,柵極電荷,TRR /的Qrr和其他瞬態測試。
ITC57300能力

測試電壓:1200 VDC 200(短路電流可達1000A)

定時測量:低為1 ns

漏電流限制監視器

-  MOSFET開關時間測試, Max VDD =1.2KV,0.1V Steps
-  MOSFET,Diodes Qrr/Trr反向恢復時間測試,Max VDD=1.2KV, 0.1V Steps
-  Qrr range:1nc~100uc,Trr range:10ns~2us
-  MOSFET柵電荷Qg測試,Max VDD =1.2KV,0.1V Steps
-  IGBT感性開關時間測試,Max VDD =1.2KV,0.1V Steps,Inductors range:0.1mH~159.9mH
-  IGBT短路耐量測試,Max ISC=1000A
測試標準:
- MIL-STD-750 Series

ITC57300mos管IGBT功率器件動態參數測試儀選項

額外的電源供應器

額外的測試頭

大包裝適配器

ITC57300mos管IGBT功率器件動態參數測試儀測試頭

ITC57210 - N-通道和P-通道功率MOSFET,MIL-STD-750方法3472開關時間

ITC57220 - TRR /電源,MOSFET和二極管的Qrr,MIL-STD-750方法,3473

ITC57230 - 柵極電荷功率MOSFET,MIL-STD-750方法3471

ITC57240 - 電感式開關時間為IGBT,MIL-STD 750方法3477

ITC57250 - (ISC)短路耐受時間,MIL-STD-750方法3479

ITC57300mos管IGBT功率器件動態參數測試儀系統特點

QQ截圖20230427143522.png


MOS管動態參數測試儀ITC57300

很容易改變的測試頭

在不同參數的自動化測試

堅固耐用的PC兼容計算機

用戶友好的菜單驅動軟件

可編程測試出紙槽

電子表格兼容的測試數據

可選內部電感負載

GPIB可編程測試設備

四通道高帶寬數字示波器

脈沖發生器

1200V電源

ITC57300mos管IGBT功率器件動態參數測試儀安全特性

測試頭高電壓互鎖

接收端的高電壓互鎖

高速漏極供電開關

ITC57210 開關時間測試頭

此測試頭以美軍標 MIL-STD-750, Method 3472,驗證功率器件MOSFETs,P溝道和N溝道的開關時間。所測量的參數包括 :Time Delay On [td(on)],Rise Time(tr),Time Delay Off [td(off)],Fall Time(tf)

ITC57220 Trr/Qrr測試頭

ITC57220測試頭以美軍標MIL-STD-750, Method 3473,進行反向恢復Trr/Qrr測試。

首先,驅動電路中的電感電流上升,電流升到所設定的值時,電源會被切開。電感內的的電流會通過被測器件中的二極管排放。經過一段短時間后,驅動器再次啟動,致使器件中的二極管經歷反向恢復動作。由此所捕捉到的波形經過分析后便能取得反向恢復時間,電流和累積電荷等數據。

ITC57230 柵電荷測試頭

ITC57230對功率器件MOSFETs的柵電荷能力以美軍標MIL-STD-750, Method 3471進行考驗。

先給MOSFET管的柵極加電壓,在柵極打開時,把一個恒電流,高阻抗的負載接到MOSFTE管的漏極。

當漏極電流攀爬到用戶設定的數值時,被測器件的柵電荷可通過向漏極導通可編程恒流源放電(或P溝道器件,向源極導通)。通過監視柵電壓和波形下各部分的面積便可計算出電荷量。

ITC57240 感性負載開關時間測試頭

ITC57240測試頭以美軍標MIL-STD-750, Method 3477的定義,實行感性負載開關時間測試。

IGBT驅動器會在電感圈內產生測試電流。當斷開時,電流會通過寄生(齊納)二極管。在這瞬間,打開和關閉DUT器件開始對開關時間和開關能量進行測試。當它開關時,DUT器件能觀察到流入電感圈里的測試電流和橫跨齊納二極管的電壓,而不受續流二極管所產生的任何反向恢復因素所影響。

ITC57250 短路耐量測試頭

ITC57250以美軍標MIL-STD-750, Method 3479的定義,實行短路耐抗時間測試。

在某些電路,如馬達驅動電路,半導體器件須有能力抗衡并頂住短時間的短路狀況。此測試就是用于驗證器件在短路情況下所能承受的耐抗時間。器件內的電流是取決于器件的放大值(gain)和所使用的驅動脈寬。

ITC57260 結電容/柵極等效電阻測試頭 Rg, Ciss, Coss & Crss

此測試頭應用頻率掃描和固定電感圈,找出所形成的RLC電路的共振點然后進行對功率器件MOSFET的柵極電阻測量。它同時也測量器件的輸入電容(Ciss),輸出電容(Coss)和反向電容(Crss).



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