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n-on-p銻化銦薄膜的液相外延生長
n-on-p銻化銦薄膜的液相外延生長
銻化銦是Ⅲ-V族化合物半導體，它具有窄禁帶寬度和高遷移率等特點。在300K時，禁帶寬度為0.17eV，電子遷移率約為7*10 4cm²·V-1·s-1：在77K時，禁帶寬度為0.23eV，電子遷移率的6*10 5cm²V-1·s-1。在紅外波段有較高的靈敏度，是一種適宜制作中波紅外電探測器、霍爾器件和磁阻元件的材料。近年來用其制備的紅外光電探測器已在紅外跟蹤系統、紅外照相機、紅外熱像儀、自動控制器、氣體分析儀和紅外測溫儀等方面廣泛應用。
銻化銦光伏探測器通常采用在n型基片上擴散P型雜質Zn或Cd形成P-n結。 從生產的角度看這種工藝存在2個問題：一是擴散容易引起損傷，增加了漏電流；二是擴散層的厚度難以控制。要解決這2個問題，可以采用在P型基片上外延生長n型層的方法。1976年日本Koichi Kanzaki等報道了用液相外延法研制的n-on-p結構銻化銦探測器，零偏壓結阻抗達。2010年伊朗Sareminia等報道了用LPE法研制的n-on-p結構銻化銦薄膜材料。2011年日本Kuki Sato等用LPE法生長的銻化銦外延片研制放射探測器，用以測量α粒子。2014年埃及Farag等報道了用LPE法研制的n-InSb/p-GaAs異質結材料。目前國內未見LPE法生長銻化銦薄膜材料的報道。
用液相外延技術在p型InSb薄膜層來制作p-n結。n型層采用高濃度n+，雜質濃度在1*10 17~5*10 18cm-3之間，由于高濃度n型層的筒并作用，在一定波長范圍內的紅外光不被吸收，幾乎無損透過，使量子效率有所提高。利用這個原理制成的p-n結，免去了控制厚度的麻煩。光刻臺面后就不必為控制結深而進行腐蝕，減少了對器件的污染。由于液相外延是在基片上重新生長晶體，因此外延膜晶格結構較完整，在一定程度上還能出去基片表面上原有的缺陷。用這樣的方法做出的材料渴望得到高質量和高量子效率的探測器。
本文采用水平開管液相外延技術在銻化銦襯底上用富銻銦母液生長銻化銦薄膜材料。
儀器準備
儀器簡介
LC-600A智能全控液相色譜系統由P600高壓恒流泵與UV600紫外檢測器直接構成等度分析系統。使用WS600工作站可以同時控制數臺P600高壓恒流泵、UV600紫外檢測器及恒溫柱箱等，實行多元高壓洗脫、波長掃描等功能。
應用領域
化合物檢測、法醫毒物分析、蛋白質組學食品檢測、藥物分析、環境分析、聚合物分析
