美國(guó) 2D/3D可牽張拉伸微電極陣列刺激與記錄系統(tǒng)

機(jī)械力刺激

電刺激記錄

高分辨率成像三合一

美國(guó)bm廠家的3D微電極陣列將推進(jìn)基于類器官的神經(jīng)和神經(jīng)退行性疾病模型

3D 貼合微電極陣列，用于記錄生理上完整的腦類器官的電信號(hào)。 BMSEED 的新技術(shù)將使研究人員能夠準(zhǔn)確評(píng)估這些結(jié)構(gòu)的健康狀況和功能，以推進(jìn)眾多領(lǐng)域的藥物測(cè)試和組織工程。
大腦類器官使用人體細(xì)胞來(lái)復(fù)制大腦的 3 維結(jié)構(gòu)。 與動(dòng)物模型和 2D 細(xì)胞培養(yǎng)物相比，它們可用作在更接近人體的環(huán)境中研究神經(jīng)和神經(jīng)退行性腦疾病的有效模型。 然而，它們的功效已被用于記錄大腦類器官電信號(hào)的方法的限制所扼殺。

傳統(tǒng)到的商業(yè)微電極陣列是扁平的，因此它們只能記錄球形類器官表面積的一小部分，而B(niǎo)M的 3D 微電極陣列大限度地與類器官表面接觸，以收集比以前更多的神經(jīng)信號(hào)。

3D 微電極陣列為球形類器官創(chuàng)建一個(gè)更貼近自然地環(huán)境，以模擬健康和疾病狀態(tài)的大腦功能。 這項(xiàng)新技術(shù)將推動(dòng)創(chuàng)傷性腦損傷、阿爾茨海默病及相關(guān)癡呆癥、慢性創(chuàng)傷性腦病、自閉癥等方面的研究。

電偶合效應(yīng)刺激加載系統(tǒng)：

該系統(tǒng)可實(shí)現(xiàn)靈活的力-電可耦合刺激

使研究者設(shè)計(jì)研究：應(yīng)力本身引起還是由應(yīng)力產(chǎn)生的電位引起,或是兩者都起作用？

該系統(tǒng)可實(shí)現(xiàn)阻抗定量測(cè)量以及活細(xì)胞電活動(dòng)記錄表征。

細(xì)胞、 組織拉伸模塊：對(duì)細(xì)胞進(jìn)行牽張刺激加載

＊支持雙軸和單軸拉伸兩種模式

＊可快速?zèng)_擊損傷拉伸或周期性拉伸

＊連續(xù)可調(diào)的牽張率和頻率

＊可以偶聯(lián)成像和電生理模塊

＊實(shí)時(shí)生成應(yīng)變曲線（徑向，線性， 自定義）

＊自定義應(yīng)變場(chǎng)

＊應(yīng)變速率高達(dá)80 Is ＊高達(dá)so％的應(yīng)變＊任何拉伸圖案

＊高重復(fù)性

＊在培養(yǎng)箱中使用