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1、實現硅基光電芯片網絡之間低損耗連接；

2、實現硅基光子芯片網絡連接自動化，提升連接效率；

3、提升每毫米芯片尺度連接密度，提升硅基光子芯片集成度；

4、實現三維空間硅基光子芯片間自由連接。

光子橋接激光鍵合方式具有無需壓力、無高溫殘余應力、無需強電場干擾等諸多優勢。

激光退火： 

激光退火技術主要用于修復半導體材料，尤其是硅。傳統的加熱退火技術是把整個晶圓放在真空爐中，在一定的溫度（一般是300-1200℃）下退火10-60min。這種退火方式并不能完全消除缺陷，高溫卻導致材料性能下降，摻雜物質析出等問題。因此從上世紀末開始，激光退火的研究就變得十分活躍，發展出毫秒級脈沖激光退火、納秒級脈沖激光退火和高頻Q開關脈沖激光退火等多種激光退火方法。近些年來，激光退火已在國內外取得了一些成熟的應用。激光退火主要優勢體現在： 

（1）加熱時間短，能夠獲得高濃度的摻雜層； 

（2）加熱局限于局部表層，不會影響周圍元件的物理性能； 

（3）能夠能到半球形的很深的接觸區； 

（4）由于激光束可以整形到非常細，為微區薄層退火提供了可能。

激光鉆孔： 

激光鉆孔廣泛用于金屬、PCB、玻璃面板等領域的鉆孔。