高真空磁控離子濺射儀是一種用于薄膜沉積的先進(jìn)設(shè)備，廣泛應(yīng)用于材料科學(xué)、半導(dǎo)體、光學(xué)、電子、新能源等領(lǐng)域。
一、高真空磁控離子濺射儀核心作用：
1.薄膜沉積
原理：在高真空環(huán)境中，通過(guò)輝光放電產(chǎn)生等離子體，離子轟擊靶材（陰極），使其原子被濺射并沉積到基底表面，形成薄膜。
特點(diǎn)：
薄膜與基底結(jié)合力強(qiáng)（物理沉積，無(wú)界面擴(kuò)散）；
可精確控制薄膜厚度（納米級(jí)精度）；
支持多種靶材（金屬、合金、氧化物、陶瓷等）。
2.高真空環(huán)境
真空度高，避免氣體分子干擾沉積過(guò)程，確保薄膜純度、均勻性和致密性。
作用：
減少氧化或污染，適用于高熔點(diǎn)、易反應(yīng)材料的沉積；
降低薄膜缺陷率，提升表面光滑度。
3.磁控增強(qiáng)濺射效率
磁控原理：通過(guò)磁場(chǎng)約束電子運(yùn)動(dòng)，延長(zhǎng)電子路徑，提高氣體電離效率，從而增強(qiáng)濺射速率（比非磁控濺射快數(shù)倍）。
優(yōu)勢(shì)：
高速沉積（適合工業(yè)化生產(chǎn)）；
低溫成膜（減少基底熱損傷）。
二、高真空磁控離子濺射儀主要應(yīng)用領(lǐng)域
1.微電子與半導(dǎo)體
沉積導(dǎo)電薄膜（如銅、鋁、鎢）、絕緣薄膜（如二氧化硅、氮化硅）或保護(hù)層（如TaN、TiN）；
用于芯片互連、傳感器、存儲(chǔ)器等器件的制造。
2.光學(xué)鍍膜
制備增透膜、反射膜（如銀膜、介質(zhì)多層膜）、濾光膜等；
應(yīng)用：紅外探測(cè)器、激光鏡片、太陽(yáng)能電池減反膜。
3.功能性薄膜
硬質(zhì)涂層：如TiN、CrN超硬薄膜，用于刀具、模具的耐磨防腐；
光伏薄膜：如CIGS、CdTe太陽(yáng)電池吸收層；
阻變存儲(chǔ)薄膜：如鉿基氧化物，用于新型存儲(chǔ)器研發(fā)。
4.材料研究
制備納米結(jié)構(gòu)薄膜、多組分梯度薄膜或非晶薄膜，研究材料性能（如電學(xué)、光學(xué)、力學(xué)特性）；
支持新型靶材開(kāi)發(fā)與工藝優(yōu)化。
5.生物醫(yī)療
沉積生物兼容薄膜（如鈦合金、DLC類(lèi)金剛石碳膜）于醫(yī)療器械表面，提升抗菌性或潤(rùn)滑性；
制備納米結(jié)構(gòu)組織工程支架。
會(huì)員.png)
5
立即詢價(jià)
您提交后，專(zhuān)屬客服將第一時(shí)間為您服務(wù)