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LD-PD的脈沖半導體激光器模塊是一個整體905nm的InGaAs/GaAs應變量子阱激光管，可在45A版本中單獨驅動，激光器的電流注入寬度為200微米，高度為10-480微米芯片。激光二極管的封裝設計和組裝加工技術，我們現在提供9毫米封裝，5毫米封裝以及18F光纖耦合包裝。量子阱激光器設計的上升和下降時間小于1ns，但是驅動電路布局和封裝電感起主導作用應進行相應的設計。
● 高可靠性/高效率
● 從-40°C到+85°C的穩定輸出
● 高達375W的單個和堆疊設備
● 高達188W的光纖耦合設備
● 提供定制包裝
● 大功率單片STAC
● 可靠性
● 客戶特定波長可選
TO5.6 Package
TO18F Package
9mm Package
最大極限參數
參數 | 單位 | 最小值 | 典型值 | 最大值 |
管殼溫度 | ℃ | -5 | 25 | 85 |
芯片溫度 | ℃ | 0 | 25 | 85 |
驅動電流 | A | 0 | 45 | 50 |
驅動電壓 | V | 0.8 | 1.2 | 1.8 |
● 測距
● 仿真
● 測量設備
● 國土安全
● 激光雷達
● 自適應巡航控制
PL-QWLD-□□□□-XX
□□□□：Peak Power
80:80w
*****
150:150w
350: 350w
450:450W
600:600W
XX: Package Type
TO56=TO5.6
TO9=TO9
TO18FXXX=TO18 Fiber coupled + XXX
(Contact our sales for the coupling Type fiber)
最小起訂量: 5只
(Drive Conditions: 100ns 45Amps 1kHz @ 25°Cunless stated otherwise)
參數 | 符號 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 |
峰值波長 | λ | 895 | 905 | 915 | nm |
譜寬 | ?λ | 5 | 8 | nm | |
上升時間 | Tr | 100 | ns | ||
工作電流 | Iop | 45 | A | ||
峰值功率 | Pp | 500 | 600 | 650 | W |
閾值電流 (typ) | Ith | 0.8 | A | ||
占空比 | 0.1 | % | |||
光斑發散度 | 8 x 25 | deg | |||
驅動電壓 | Vf | 1.3 | 2 | V | |
操作溫度 | Ot | 0 | 25 | 85 | deg |
可選光纖耦合類型* | 200/300/400/600um Depending on Peak Power | um | |||
光纖出光功率(typ) | Pf | 38 | 100 | 188 | w |
中心波長溫度曲線
光譜圖
L-I Curve（測試條件45A 1KHZ 100ns）
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