目錄:筱曉（上海）光子技術有限公司>>光電探測器>>MCT碲鎘汞探測器>> 中紅外兩級TE冷卻光浸式光電探測器
| 產地類別 | 進口 | 應用領域 | 化工,能源,建材/家具,電子/電池 |
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PVI-2TE系列是基于復雜的HgCdTe異質結構的兩級熱電冷卻紅外光電探測器，具有好的性能和穩定性，同時采用光學浸入來改善器件的參數。探測器在λopt時具有好性能。起始波長可根據需要進行優化。反向偏置電壓可以顯著提高響應速度和動態范圍以及高頻下的性能，但偏置器件中出現的1/f噪聲可能會降低低頻下的性能。3°楔狀藍寶石(wAl2O3)或硒化鋅抗反射涂層(wZnSeAR)窗口可防止不必要的干擾影響。
● 可探測中紅外波長范圍2-12μm
● 可配專用前置放大器
● 1mm×1mm大尺寸光敏面
● 帶有抗反射涂層窗口鏡
● 帶有超半球微型砷化鎵透鏡實現光學浸沒，有效提升探測效率
TO8型封裝外形尺寸圖
參量 | 數值 | |
浸沒微型透鏡形狀 | 超半球形 | |
光學區域面積AO；mm×mm | 0.5×0.5 | 1×1 |
R,mm | 0.5 | 0.8 |
A,mm | 4.1±0.3 | 3.2±0.3 |
備注：
?—接收角度；
R—超半球微型透鏡半徑
A—2TE-TO8型封裝頂部下表面與焦平面的距離
2TE-TO8引腳定義
功能 | PIN號 |
探測器 | 1,3 |
反向偏壓（可選） | 1（-）,3（+） |
熱敏電阻 | 7,9 |
TE冷卻器供應 | 2（+），8（-） |
底板接地 | 11 |
未使用 | 4，5，6，10，12 |
2TE-TO66封裝尺寸圖
參量 | 數值 | |
浸沒微型透鏡形狀 | 超半球形 | |
光學區域面積AO；mm×mm | 0.5×0.5 | 1×1 |
R,mm | 0.5 | 0.8 |
A,mm | 5.15±0.30 | 3.2±0.30 |
備注：
?—接收角度；
R—超半球微型透鏡半徑
A—2TE-TO66型封裝頂部下表面與焦平面的距離
TO66引腳定義
功能 | PIN號 |
探測器 | 7，8 |
反向偏壓（可選） | 7（-）,8（+） |
熱敏電阻 | 5,6 |
TE冷卻器供應 | 1（+），9（-） |
未使用 | 2，3，4 |
● 醫學熱成像
● 紅外光譜分析
● 中紅外氣體吸收檢測
● 中紅外激光探測
參數 | 探測器型號 | ||||||
PVI-2TE-3 | PVI-2TE-3.4 | PVI-2TE-4 | PVI-2TE-5 | PVI-2TE-6 | PVI-2TE-8 | PVI-2TE-10.6 | |
有源元件材料 | 外延MCT異質結構 | ||||||
最佳波長λopt，μm | 3 | 3.4 | 4 | 5 | 6 | 8 | 10.6 |
探測靈敏度D*(λpeak），cm·Hz?/w | ≥8×1011 | ≥6×1011 | ≥4×1011 | ≥2×1011 | ≥7×1010 | ≥4×109 | ≥2×109 |
探測靈敏度D*(λopt），cm·Hz?/W | ≥5.5×1011 | ≥3×1011 | ≥3×1011 | ≥9×1010 | ≥4×1010 | ≥2×109 | ≥1×109 |
電流響應度Ri(λopt)，A/W | ≥0.5 | ≥0.8 | ≥1.3 | ≥1.3 | ≥1.5 | ≥0.8 | ≥0.4 |
時間常數T，ns | ≤280 | ≤200 | ≤100 | ≤80 | ≤50 | ≤45 | ≤10 |
電阻-感光元件面積乘積R·AO,Ω·cm2 | ≥15000 | ≥300 | ≥200 | ≥10 | ≥2 | ≥0.02 | ≥0.01 |
有源元件溫度Tdet,K | ~230 | ||||||
感光面面積AO，mm×mm | 0.5×0.5,1×1 | 0.05×0.05 | |||||
封裝 | TO8,TO66 | ||||||
接收角Φ | ～36° | ||||||
窗口 | wAl2O3 | wZnSeAR | |||||
探測器光譜響應特性曲線
熱敏電阻特性曲線
兩級TE冷卻參數表
參量 | 數值 |
Tdet , K | ~230 |
Vmax , V | 1.3 |
Imax , A | 1.2 |
Qmax , W | 0.36 |
抗反射涂層窗口光譜透過率曲線
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