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覆銅板介電常數(shù)損耗測試儀在相同添加量情況下，ｌＯＯｎｍ制備的復(fù)合材料的介電常數(shù)明顯高于添加其他顆粒大小的復(fù)合材料。這表明添加近ｌＯＯｎｍＢＴ的復(fù)合材料的界面極化能力介質(zhì)損耗和介電常數(shù)是各種電瓷、裝置瓷、電容器等陶瓷,還有復(fù)合材料等的一項重要的物理性質(zhì),通過測定介質(zhì)損耗角正切tanδ及介電常數(shù)(ε),可進一步了解影響介質(zhì)損耗和介電常數(shù)的各種因素,為提高材料的性能提供依據(jù)。隨著頻率的升高，復(fù)合材料的介電損耗都是先降低在急劇升高。復(fù)合材料的介電損耗大致有兩種，一種為極化損耗，一種為電導(dǎo)損耗。在低頻條件下，大多發(fā)生電導(dǎo)損耗。通常情況下在頻率１００ｋＨｚ以下時，由于復(fù)合材料的介電常數(shù)較高且隨著頻率的升高而降低，因此其電導(dǎo)損耗也較高且隨著頻率的升高而降低。而隨著頻率高過１００ｋＨｚ時，復(fù)合材料材料的電導(dǎo)損耗降低，其主要為極化損耗，由于電介質(zhì)的分子為極性分子，在高頻情況下分子得到轉(zhuǎn)向和位移極化都會需要一定的時間，而這個極化時間就導(dǎo)致電介質(zhì)的極化與外加電場有一個相位差，而因為這個相位差就導(dǎo)致了極化損耗＾＿６８１。隨著ＢＴ含量的增加，在低頻的情況下越高濃度復(fù)合材料介電損耗會越高。但隨著頻率的增高，在低頻具有高介電損耗的復(fù)合材料，在高頻的情況下其介電損耗會比低濃度復(fù)合材料介電損耗低。這主要是因為在低頻情況下，添加ＢＴ顆粒會增加其本身的介電常數(shù)因為增加了電導(dǎo)損耗，但隨著頻率的增高，在低頻具有高介電損耗的復(fù)合材料薄膜，在高頻的情況下，其介電損耗會比在低頻具有低介電損耗的復(fù)合材料薄膜的低，也就是倒置現(xiàn)象。這主要是因為ＢＴ是非極性的納米顆粒，隨著ＢＴ含量的增加導(dǎo)致了極化的降低。純的ＰＶＤＦ介電損耗為０．０５８。在４０ｗｔ％添加量時，５０ｎｍ制備的復(fù)合材料介電損耗為０．１７為純的ＰＶＤＦ的３倍。

儀器的基本原理是采用高頻諧振法,并提供了通用、多用途、多量程的阻抗測試。它以單片計算機控制儀器,測量核心采用了頻率數(shù)字鎖定、標準頻率測試點自動設(shè)定、諧振點自動搜索、Q值量程自動轉(zhuǎn)換、數(shù)值顯示等新技術(shù),改進了調(diào)諧回路,使得調(diào)諧測試回路的殘余電感減至*,并保留了原Q表中自動穩(wěn)幅等技術(shù),使得新儀器在使用時更為方便,測量時更為精確。儀器能在較高的測試頻率條件下,測量高頻電感或諧振回路的Q值,電感器的電感量和分布電容量,電容器的電容量和損耗角正切值,電工材料的高頻介質(zhì)損耗,高頻回路有效并聯(lián)及串聯(lián)電阻,傳輸線的特性阻抗等。

覆銅板介電常數(shù)損耗測試儀復(fù)合材料介電常數(shù)隨頻率變化關(guān)系圖，范圍為１００Ｈｚ至１ＭＨｚ。純ＰＶＤＦ在１００Ｈｚ時的介電常數(shù)為７．８９。１１可知，從１００ＨＺ直到１ＭＨｚ時，復(fù)合材料的介電常數(shù)都會略有下降，這種趨勢在１００ｋＨｚ以上時更為明顯［６５１。當(dāng)４０ｗｔ％添加量時，１００ｎｍ制備的復(fù)合材料介電常數(shù)最大，１００Ｈｚ時，介電常數(shù)為２０．３是原始ＰＶＤＦ膜的２．５７倍。引起介電常數(shù)提高的原因可以歸因于引入高介電常數(shù)填料。