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目錄:北京北廣精儀儀器設備有限公司>>介電常數介質損耗測試儀>>液體介電常數介質損耗測試儀>> GDAT-A聚酯薄膜介質損耗測試儀

聚酯薄膜介質損耗測試儀
  • 聚酯薄膜介質損耗測試儀
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參考價 面議
具體成交價以合同協議為準
參考價 面議
具體成交價以合同協議為準
  • 品牌 北廣精儀
  • 型號 GDAT-A
  • 廠商性質 生產商
  • 所在地 北京市
屬性

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更新時間:2024-07-16 14:51:14瀏覽次數:1041評價

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產地類別 國產 價格區間 1萬-2萬
應用領域 化工,生物產業,能源,電氣,綜合
聚酯薄膜介質損耗測試儀主要測試材料:
1 絕緣導熱硅膠,石英晶玻璃,陶瓷片,薄膜,OCA光學膠,環氧樹脂材料,塑料材料,FR4 PCB板材, PA尼龍/滌綸,PE聚乙烯,PTFE聚四氟乙烯,PS聚苯乙烯,PC聚碳酸旨,PVC,PMMA等

聚酯薄膜介質損耗測試儀

156931149939218.png

信號源范圍DDS數字合成信號

10KHZ-70MHz

10KHZ-110MHz

100KHZ-160MHz

信號源頻率覆蓋比

7000:1

11000:1

16000:1

信號源頻率精度 6位有效數

3×10-5 ±1個字  

3×10-5 ±1個字   

3×10-5 ±1個字   

采樣精度

11BIT

11BIT

12BIT

高精度的AD采樣,了Q值的穩定性,以及低介質損耗材料測試時候的穩定性

Q測量范圍

1-1000自動/手動量程

1-1000自動/手動量程

1-1000自動/手動量程

Q分辨率

4位有效數,分辨率0.1

4位有效數,分辨率0.1

4位有效數,分辨率0.1

Q測量工作誤差

<5%

<5%

<5%

電感測量范圍 4位有效數,分辨率0.1nH

1nH-8.4H ,分辨率0.1nH

1nH-8.4H 分辨率0.1nH

1nH-140mH分辨率0.1nH

電感測量誤差

<3%

<3%

<3%

調諧電容

主電容30-540pF

主電容30-540pF

主電容17-240pF

電容直接測量范圍

1pF~2.5uF

1pF~2.5uF

1pF~25nF

調諧電容誤差

分辨率

±1pF或<1%

0.1pF

±1pF或<1%

0.1pF

±1pF或<1%

0.1pF

諧振點搜索

自動掃描

自動掃描

自動掃描

Q合格預置范圍 

5-1000聲光提示

5-1000聲光提示

5-1000聲光提示

Q量程切換

自動/手動

自動/手動

自動/手動

LCD顯示參數

F,L,C,Q,Lt,Ct波段等

F,L,C,Q,Lt,Ct波段等

F,L,C,Q,Lt,Ct波段等

自身殘余電感和測試引線電感的自動扣除功能()

大電容值直接測量顯示功能()

測量值可達2.5uF

測量值可達2.5uF

測量值可達25nF

介質損耗系數

精度 萬分之三

精度 萬分之三

精度 萬分之一

介損系數

萬分之一

萬分之一

萬分之一

介電常數

精度 千分之一

精度 千分之一

精度 千分之一

材料測試厚度

0.1mm-10mm

0.1mm-10mm

0.1mm-10mm

聚酯薄膜介質損耗測試儀由S916測試裝置(夾具)、QBG-3E/QBG-3F/AS2853A型高頻Q表、數據采集和tanδ自動測量控件(裝入QBG-3E/QBG-3F或AS2853A的軟件模塊)、及LKI-1型電感器組成。依據國標GB/T 1409-2006、GB/T 1693-2007、美標ASTM D150以及國際電工委員會IEC60250的規定設計制作。系統提供了絕緣材料的高頻介質損耗角正切值(tanδ)和介電常數(ε)自動測量的解決方案。本儀器中測試裝置是由平板電容器組成,平板電容器一般用來夾被測樣品,配用Q表作為指示儀器。絕緣材料的損耗角正切值是通過被測樣品放入平板電容器和不放樣品的Q值變化和厚度的刻度讀數通過公式計算得到。使用QBG-3E或AS2853A數字Q表具有自動計算介電常數(ε)和介質損耗(tanδ)。

定義:

  這些試驗方法所用術語定義以及電絕緣材料相關術語定義見術語標準D1711。

  本標準專用術語定義:

  電容,C,名詞——當導體之間存在電勢差時,導體和電介質系統允許儲存電分離電荷的性能。

  討論——電容是指電流電量 q與電位差V之間的比值。電容值總是正值。當電量采用庫倫為單位,電位采用伏特為單位時,電容單位為法拉,即:

  C=q/V (1)

  耗散因子(D),(損耗角正切),(tanδ),名詞——是指損耗指數(K'')與相對電容率(K')之間的比值,它還等于其損耗角(δ)的正切值或者其相位角(θ)的余切值。

  D=K''/K' (2)

  3.2.2.1 討論——a:

  D=tanδ=cotθ=Xp/Rp=G/ωCp=1/ωCpRp(3)

  式中:

  G=等效交流電導,

  Xp=并聯電抗,

  Rp=等效交流并聯電阻,

  Cp=并聯電容,

  ω=2πf(假設為正弦波形狀)

  耗散因子的倒數為品質因子Q,有時成為儲能因子。對于串聯和并聯模型,電容器耗散因子D都是相同的,按如下表示為:

  D=ωRsCs=1/ωRpCp(4)

  串聯和并聯部分之間的關系滿足以下要求:

  Cp=Cs/(1 D2) (5)

  Rp/Rs=(1 D2)/D2=1 (1/D2)=1 Q2(6)

介質損耗測試系統主要性能參數一覽表.png


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