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一、概述

IRE-200是一款超高精度的外延層厚度測(cè)量設(shè)備，利用紅外光譜經(jīng)傅里葉變換進(jìn)行快速分析，主要應(yīng)用于Si、GaAs、InP、SiC、GaN等各類(lèi)外延片的外延層厚度測(cè)量。

■ 單拋/雙拋等多種模式選擇支持；

■ 自定義mapping功能；

■ 高檢測(cè)速率：Si標(biāo)準(zhǔn)外延片測(cè)量25點(diǎn)≤3min；

■ 高檢測(cè)精度：≤0.01um 。

二、產(chǎn)品特點(diǎn)

1）設(shè)備采用高性能光源模塊，光源穩(wěn)定性好，信噪比高，覆蓋范圍7800-350cm^-1。

2）搭配自主研發(fā)算法軟件，可精準(zhǔn)快速地獲取測(cè)量結(jié)果。

3) 搭配自主研發(fā)的mapping運(yùn)動(dòng)臺(tái)，定位精準(zhǔn)、測(cè)量速度快。

三、產(chǎn)品應(yīng)用

IRE-200廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體行業(yè)中Si、SiC、GaAs、InP、GaN等基底材料上外延層厚度的量測(cè)。

SiC EPI量測(cè)案例

技術(shù)參數(shù)