壓力變送器報價，單晶硅傳感器的敏感元件是將P型雜質(zhì)擴散到N型硅片上，形成極薄的導(dǎo)電P型層，焊上引線即成“單晶硅應(yīng)變片”，其電氣性能是做成一個全動態(tài)的壓阻效應(yīng)惠斯登電橋。該壓阻效應(yīng)惠斯登電橋和彈性元件（即其N型硅基底）結(jié)合在一起。介質(zhì)壓力通過密封硅油傳到硅膜片的正腔側(cè)，與作用在負腔側(cè)的介質(zhì)形成壓差，它們共同作用的結(jié)果使膜片的一側(cè)壓縮，另一側(cè)拉伸，壓差使電橋失衡，輸出一個與壓力變化對應(yīng)的信號。惠斯登電橋的輸出信號經(jīng)電路處理后，即產(chǎn)生與壓力變化成線性關(guān)系的4-20mA標(biāo)準(zhǔn)信號輸出。 

對于表壓傳感器，其負腔側(cè)通常通大氣，以大氣壓作為參考壓力；對于絕壓傳感器，其負腔側(cè)通常為真空室，以決對真空作為參考壓力；對于差壓傳感器，其負腔側(cè)的導(dǎo)壓介質(zhì)通常和正腔側(cè)相同，如硅油、氟油、植物油等。  
                              
壓力變送器報價所示，在正負腔室的壓差作用下，引起測量硅膜片（即彈性元件）變形彎曲，當(dāng)壓差P小于測量硅膜片的需用應(yīng)力比例極限σp時，彎曲可以全部復(fù)位；當(dāng)壓差P超過測量硅膜片的需用應(yīng)力比例極限σp后，將達到材料的屈服階段，甚至達到強化階段，此時撤去壓差后測量硅膜片無法恢復(fù)到原位，導(dǎo)致發(fā)生不可逆轉(zhuǎn)的測量偏差；當(dāng)壓差P達到或超過測量硅膜片能承受的ZUI高應(yīng)力σb后，測量硅膜片破裂，直接導(dǎo)致傳感器損壞。因此，通過阻止或削弱外界的過載壓差P直接傳遞到測量硅膜片上，可以有效保護傳感器的測量精度和壽命。這就引出了對單晶硅芯片進行過載保護設(shè)計的問題。 

2.2 壓力過載保護設(shè)計和實現(xiàn)
如圖3所示，為克服單晶硅硅片抗過載能力不足的缺陷，配備了一種具有單向壓力過載保護的差壓傳感器。該單向壓力過載保護差壓傳感器不僅能測出現(xiàn)場工況在額定壓力范圍內(nèi)的壓差值，而且在發(fā)生單向壓力過載的情況下還能有效地進行自我保護，避免了硅差壓傳感單向壓力過載而引起的損壞。 
 
圖3  帶過載保護的差壓傳感器結(jié)構(gòu)示意圖 

如圖4、圖5所示，當(dāng)有超過差壓測量硅膜片允許工作范圍的差壓出現(xiàn)時，中心隔離移動膜片向低壓一側(cè)移動，并使高壓一側(cè)的外界隔離膜片和腔室內(nèi)壁重合，從而使得高壓側(cè)硅油全部趕入腔室內(nèi)，無法向單晶硅芯片進一步傳遞更高的壓力值，在單晶硅芯片上避免了超高壓的發(fā)生，有效地實現(xiàn)了保護單晶硅芯片的目的。 

圖4  正腔過載示意圖                                                            圖5  負腔過載示意圖 

這種抗過載設(shè)計方法有效的保護了單晶硅芯片的*工作穩(wěn)定性，尤其在有水錘現(xiàn)象存在的工況場合更加能夠突出其*性。


由于單晶硅芯片的輸出信號量較大，在5V的恒壓源激勵下其典型的量程輸出到達了100mV，這樣對于后端的電子電路和軟件較為容易實現(xiàn)信號補償和放大處理。相比于金屬電容式壓力、差壓變送器，單晶硅原理的壓力、差壓變送器的量程比性能非常*，其常用壓力變送器的量程可調(diào)比達到了100:1，微差壓變送器的可調(diào)量程比達到10:1。經(jīng)量程壓縮后仍能保持較高的基本精度，大幅拓寬了單晶硅壓力變送器的可調(diào)節(jié)范圍，對用戶的應(yīng)用較為方便和有意義。