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產(chǎn)品簡介
詳細介紹
MOSFET/JFET擊穿電壓測試用源表概述
數(shù)字源表特色：
數(shù)字源表指一種可作為四象限的電壓源或電流源提供精確的電壓或電流，同時可同步測量電流值或電壓值的測量儀表；當電源時可作為可編程電壓源或可編程電流源；當萬用表時可作為數(shù)字電壓表(電流源,輸出電流為0,測電壓)或數(shù)字電流表(電壓源,輸出電壓為0,測電流)或數(shù)字歐姆表(電流源,輸出電流為一定值,測電壓)；當電子負載時可作為可編程恒壓負載或可編程恒流負載；當電源/測量表組合（SMU）時給電壓測量電流或給電流測量電壓；
數(shù)字源表—— 五表合一
國產(chǎn)S型數(shù)字源表集電壓、電流輸入輸出及測量等多種功能，最大輸出電壓達300V，最小電流分辨率10pA，支持四象限工作，因此能廣泛的應用于各種電氣特性測試中:半導體IC或元器件，功率器件，傳感器，有機材料與納米材料等特性測試和分析。
以下是數(shù)字源表的典型應用領(lǐng)域:
納米材料與器件
– 石墨烯
– 碳納米管
– 納米線
– 低功耗納米結(jié)構(gòu)
• 半導體結(jié)構(gòu)
– 晶圓
– 薄膜
• 有機材料與器件
– 電子墨水
– 印刷電子技術(shù)
• 能量效率與照明
– LED/AMOLED
– 光伏/太陽電池
– 電池
• 分立器件與無源組件
– 雙引線: 電阻器、二極管、齊納二極管、LED、傳感器
– 三引線: 小信號雙極節(jié)型晶體管(BJT)、場效應晶體管 (FET)，等等
• 材料特性分析
–電阻率
–霍爾效應
典型的器件參數(shù)測試如下：
晶體管/整流器：正向電壓(Vf)、反向電壓(Vr)、反向漏電流(Ir)
MOSFET/JFET：輸出特性(Vds-Id)、轉(zhuǎn)移特性(Vgs-Id)、導通電阻(Rdson)、擊穿電壓(BVdss,BVdg)、漏電流(Idss,Igss)
雙極性晶體管/IGBT：飽和電壓(Vcesat)、輸出特性(Vce-Ic)、擊穿電壓(Vceo,Vebo,Vcbo)、漏電流(Iceo,Ices,Iebo)
三端雙向交流開關(guān)/可控硅:閉鎖電壓(Vdrm,Vrrm)、漏電流(Idrm,Irrm)、吸池(保持)電流(Ih)、閉鎖電流(Ii)
以上是關(guān)于MOSFET/JFET擊穿電壓測試用源表的信息，更多有關(guān)S系列源表的信息找武漢生產(chǎn)廠家普賽斯儀表
