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鎢燈絲掃描電子顯微鏡 SEM3200
SEM3200是一款高性能、應用廣泛的通用型鎢燈絲掃描電子顯微鏡。擁有出色的
成像質量、可兼容低真空模式、在不同的視場范圍下均可得到高分辨率圖像。
大景深，成像富有立體感。豐富的擴展性，助您在顯微成像的世界中盡情探索。
碳材料樣品，低電壓下，穿透深度較小，可以獲取樣品表面真實形貌，細節更豐富。
毛發樣品，在低電壓下，電子束輻照損傷減小，同時消除了荷電效應。
低真空
過濾纖維管材料，導電性差，在高真空下荷電明顯，在低真空下，無需鍍膜即可實現對不導電樣品的直接觀察。
生物樣品，采用大視場觀察，能夠輕松獲得瓢蟲整體形貌及頭部結構細節，展現跨尺度分析。
想看哪里點哪里，導航更輕松
標配倉內攝像頭，可拍攝高清樣品臺照片，快速定位樣品。
可通過雙擊移動、鼠標中鍵拖動、框選放大，進行快捷導航
如框選放大：在低倍導航下，獲得樣品的大視野情況，可快速框選您感興趣的樣品區域，提高工作效率。
采取多維度的防碰撞方案：
1. 手動輸入樣品高度，精準控制樣品與物鏡下端距離，防止發生碰撞；
2. 基于圖像識別和動態捕捉技術，運動過程中對倉內的畫面進行實時監測；
3. 硬件防碰撞，可在碰撞一瞬間停止電機，減少碰撞損傷。(*SEM3200A需選配此功能）
直觀反映整個視野的像散程度，通過鼠標點擊清晰處，可快速調節像散至最佳。
一鍵聚焦，快速成像。
一鍵消像散，提高工作效率。
一鍵自動亮度對比度，調出灰度合適圖像。
SEM3200軟件支持一鍵切換SE和BSE的混合成像?？赏瑫r觀察到樣品的形貌信息和
成分信息。
拖動一條線，圖像立刻“擺正角度"。
掃描電子顯微鏡不僅局限于表面形貌的觀察，更可以進行樣品表面的微區成分分析。
SEM3200接口豐富，除支持常規的二次電子探測器（ETD）、背散射電子探測器（BSED）、X射線能譜儀（EDS）外，也預留了諸多接口，如電子背散射衍射（EBSD）、陰極射線（CL）等探測器都可以在SEM3200上進行集成。
背散射電子成像模式下，荷電效應明顯減弱，并且可以獲得樣品表面更多的成分信息。
鍍層樣品：
鎢鋼合金樣品：
探測器設計精巧，靈敏度高，采用4分割設計，無需傾斜樣品，可獲得不同方向的陰影像以及成分分布圖像。
四個單通道的陰影像
成分像
能譜
LED小燈珠能譜面分析結果。
鎢燈絲電鏡束流大，滿足高分辨EBSD的測試需求，能夠對金屬、陶瓷、礦物等多晶材料進行晶體取向標定以及晶粒度大小等分析。
該圖為Ni金屬標樣的EBSD反極圖，能夠識別晶粒大小和取向，判斷晶界和孿晶，對材料組織結構進行精確判斷。
| 型號 | SEM3200A | SEM3200 | ||
|---|---|---|---|---|
| 電子光學系統 | 電子槍類型 | 預對中型發叉式鎢燈絲電子槍 | ||
| 分辨率 | 高真空 | 3 nm @ 30 kV（SE） | ||
| 4 nm @ 30 kV（BSE） | ||||
| 8 nm @ 3 kV（SE） | ||||
| *低真空 | 3 nm @ 30 kV（SE） | |||
| 放大倍率 | 1-300,000x（底片倍率） | |||
| 1-1000,000x（屏幕倍） | ||||
| 加速電壓 | 0.2 kV～30 kV | |||
| 成像系統 | 探測器 | 二次電子探測器（ETD） | ||
| *背散射電子探測器、*低真空二次電子探測器、*能譜儀EDS等 | ||||
| 圖像保存格式 | TIFF、JPG、BMP、PNG | |||
| 真空系統 | 真空模式 | 高真空 | 優于5×10-4 Pa | |
| *低真空 | 5～1000 Pa | |||
| 控制方式 | 全自動控制 | |||
| 樣品室 | 攝像頭 | 光學導航 | ||
| 樣品倉內監控 | ||||
| 樣品臺配置 | 三軸自動 | 五軸自動 | ||
| 行程 | X: 120 mm | X: 120 mm | ||
| Y: 115 mm | Y: 115 mm | |||
| Z: 50 mm | Z: 50 mm | |||
| / | R: 360° | |||
| / | T: -10°～ +90° | |||
| 軟件 | 語言 | 中文 | ||
| 操作系統 | Windows | |||
| 導航 | 光學導航、手勢快速導航 | |||
| 自動功能 | 自動亮度對比度、自動聚焦、自動像散 | |||
| 特色功能 | 智能輔助消像散、*大圖拼接（選配軟件） | |||
| 安裝要求 | 房間 | 長 ≥ 3000 mm，寬 ≥ 4000 mm，高 ≥ 2300 mm | ||
| 溫度 | 20 ℃～25 ℃ | |||
| 濕度 | ≤ 50 % | |||
| 電氣參數 | 電源AC 220 V(±10 %)，50 Hz，2 kVA | |||
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