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ICP等離子刻蝕機
  • ICP等離子刻蝕機
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貨物所在地:上海上海市

更新時間:2025-03-05 15:43:43

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ICP等離子刻蝕機WINETCH是面向科研及企業研發客戶使用需求設計的高性價比ICP等離子體系統。作為一個多功能系統,它通過優化的系統設計與靈活的配置方案,獲得高性能ICP刻蝕工藝。該設備結構緊湊占地面積小,專業的機械設計與優化的自動化操作軟件使該設備操作簡便、安全,且工藝穩定重復性很好。

ICP干法刻蝕是一種常見的微納加工技術,其原理是利用高頻電場將氣體離子化,使其形成等離子體,然后將等離子體引入反應室中,利用反應室內的化學反應對材料進行腐蝕或沉積。 在ICP干法刻蝕中,高頻電場的作用是將氣體分子電離,形成電子和離子。離子在電場的作用下加速運動,并與反應室內的氣體分子發生碰撞,進而形成等離子體。等離子體具有高溫、高能量的特性,可以對材料進行高效率的加工。 ICP干法刻蝕的特點是能夠實現高精度、高速度和高均勻度的刻蝕,且對材料的損傷較小,常用于微電子器件制造、光學器件加工等域。但需要注意的是,在使用ICP干法刻蝕時,應選擇合適的氣體、功率和反應室溫度等參數,以避免對材料造成負面影響。


ICP等離子刻蝕機WINETCH是面向科研及企業研發客戶使用需求設計的高性價比ICP等離子體系統。作為一個多功能系統,它通過優化的系統設計與靈活的配置方案,獲得高性能ICP刻蝕工藝。該設備結構緊湊占地面積小,專業的機械設計與優化的自動化操作軟件使該設備操作簡便、安全,且工藝穩定重復性很好。


ICP等離子刻蝕機WINETCH產品特點

4/6/8英寸兼容,單片晶圓真空傳輸系統

低成本高可靠,適合研發及小規模生產

● 設備結構簡單,外形小

● 操作簡便、便于自動控制、適合大面積基片刻蝕

● 優異的刻蝕均勻性,刻蝕速率快

滿足半導體標準的配方驅動及管理軟件控制系統

● 選擇比高、各向異性高、刻蝕損傷小

● 斷面輪廓可控性高,刻蝕表面平整光滑


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技術參數:

晶圓尺寸:4/6/8英寸兼容

適用工藝:等離子體刻蝕

適用材料:SiC、Si、GaN、GaAs、InP、Ploy,etc.

適用領域:化合物半導體,MEMS、功率器件、科研等領域




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