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? 兼容Si（硅）、InGaAs（銦鎵砷）等半導(dǎo)體光電二極管
? 波長(zhǎng)覆蓋0.4um至2.1um（近紅外）波段
? 含低噪聲、寬帶寬的前置運(yùn)放
? ±12VDC電源輸入，0至10V電壓信號(hào)輸出
? 兼容Thorlabs®標(biāo)準(zhǔn)SM1（1.035″-40）螺紋
產(chǎn)品簡(jiǎn)介
詳細(xì)介紹
【產(chǎn)品簡(jiǎn)介】
HPPD系列非制冷型光電探測(cè)器是一種高靈敏度光電探測(cè)器，兼容Si（硅）、InGaAs（銦鎵砷）、HgCdTe（碲鎘汞，MCT）、銦砷銻等半導(dǎo)體光電二極管，對(duì)0.4~12um的光譜波段光波敏感。
該探測(cè)器直流耦合輸出，含低噪聲、寬帶寬的前置運(yùn)放，探測(cè)器外殼采用全鋁合金材料，即可起到屏蔽環(huán)境電磁干擾，也具備良好的散熱性能。
【HPPD系列非制冷型光電探測(cè)器·產(chǎn)品特點(diǎn)】
l兼容Si(硅）、InGaAs(銦鎵砷）、碲鎘汞等半導(dǎo)體光電二極管
l波長(zhǎng)覆蓋0.4um至2.6um（近紅外）波段
l含低噪聲、寬帶寬的前置運(yùn)放
l±12VDC電源輸入，0至10V電壓信號(hào)輸出
l兼容Thorlabs®標(biāo)準(zhǔn)SM1（1.035″-40）螺紋
【產(chǎn)品參數(shù)】
探測(cè)器材料 | 銦鎵砷、硅、碲鎘汞 |
響應(yīng)波長(zhǎng)范圍 | 0.4 - 12um |
輸出電壓 | ±12V(Hi-Z負(fù)載)； |
供電電壓 | ±12VDC(電源適配器)； |
信號(hào)輸出接口 | SMA |
工作溫度范圍 | 10 - 40℃ |
儲(chǔ)存溫度范圍 | -25 - 70℃ |
尺寸 | 56×54.5×20.5mm3 |
重量 | ＜100g |
信號(hào)帶寬 | DC - 1MHz |
跨阻增益 | 15000V/A（Hi-Z 負(fù)載）；7500V/A（50Ω 負(fù)載） |
HPP
【型號(hào)規(guī)格】
HPPD - A - D - X - XX - XX - XX
① ② ③ ④ ⑤ ⑥
① =A | 不集成TEC驅(qū)動(dòng) |
② =D | 直流耦合輸出 |
③ =S；I；H；A | 代表探測(cè)器材質(zhì)；S=硅探測(cè)器；I代表銦鎵砷探測(cè)器；H代表碲鎘汞探測(cè)器；A代表銦砷銻探測(cè)器 |
④ =01；02；03；04依次類推 | 探測(cè)截止波長(zhǎng); 01表示截止波長(zhǎng)為1um，02表示截止波長(zhǎng)為2um，03表示截止波長(zhǎng)為3um，依次類推。客戶采購(gòu)前需咨詢。 |
⑤ =02,05,10,... | 感光面積；02表示感光面積為0.2mm2,05表示感光面積為0.5mm2。客戶采購(gòu)前需咨詢。 |
⑥ =01K, 02K, ...or 20 K | 前置放大器增益，默認(rèn)15K不標(biāo)識(shí)。客戶采購(gòu)前需咨詢。 |
例如：
HPPD-A-D-S-02-10-10K
該探測(cè)器規(guī)格為：硅探測(cè)器，一個(gè)感光面為1.0 mm2,前置放大器為直流耦合，波長(zhǎng)2um，增益為10K的探測(cè)器
結(jié)構(gòu)尺寸（單位：mm）
