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HBM放大器的作用
HBM利用將DRAM層層堆疊來提升存儲器帶寬，是一種立方體的3D裝置。目前HBM僅打入少數高階系統(tǒng)，但在數據密集的工作負載如游戲和機器學習等應用逐漸獲得重視。當前的HBM技術仍無法滿足未來的帶寬需求，因此供應商正研究數個新技術。其中包括采用HBM2E規(guī)格的新版HBM目前已經送樣，下一個版本HBM3仍處于研發(fā)階段。
HBM通常出現于2.5D的高階封裝類型，其它封裝選項如扇出式和橋接也使用這種技術。在研發(fā)上，供應商正使用新的接合方式來打造*HBM，并且也開發(fā)新的3D DRAM技術，即所謂的3DS(3顆芯片堆疊)DRAM。
目前技術研發(fā)工作聚焦的重點在于突破當前封裝的限制。例如2.5D的微凸塊是相當微小的架構，引腳間距僅40微米(μm)，未來間距可能縮小至20μm，甚至10μm，然后突塊和支柱長寬比例變得難以控制。所以在20μm到10μm時，產業(yè)需要新的互連解決方案，例如銅混合接合(copper hybrid bonding)，利用銅對銅直接對街技術，如此將可省略凸塊和支柱。
這將催生新等級2.5D封裝、3D-IC和HBM，時間很可能落在2021年或更早。銅對銅直接對接并非新技術，多年來已被用于CMOS影像傳感器(CIS)，但移入*封裝堆疊卻是一項挑戰(zhàn)，而且涉及復雜的制造流程。
臺積電等制造廠仍投入開發(fā)銅接合技術，也有業(yè)者藉助Xperi的「直接對接互連」(Direct Bond Interconnect；DBI)技術，能讓間距縮小至1μm?；旌辖雍霞夹g能用來連接兩個晶圓，或將芯片連接到晶圓上?，F在供應商正研究利用混合接合技術開發(fā)新形式的HBM，例如低輪廓16晶粒堆疊或3DS堆疊，臺積電則有4層堆疊技術。
由此可知HBM有幾種封裝選項，此技術并非適用于所有應用，例如對于體積小的裝置HBM不會取代DRAM，但對高性能應用HBM卻越來越重要，未來的問題將是，HBM技術能否趕上處理數據需求增加的速度。
SomatXR MX460B-R - 堅固型頻率和脈沖測量模塊
您希望在惡劣環(huán)境下獲取扭矩，轉速，角度，位置或位移信號嗎？如果是這樣，MX460B-R 堅固型 4通道，數字脈沖和頻率測量模塊，是您正確的選擇。 MX460B-R 適用于在移動測試或是發(fā)動機測試臺應用中精確獲取轉速頻率信號。此外，SomatXR MX460B-R還可獲取數字信號的脈沖寬度。
在發(fā)動機測試中，堅固型模塊是。因為發(fā)動機產生振動，泄漏的油會影響放大器功能。 SomatXR MX460B-R與 HBM 扭矩傳感器結合使用，可確保獲得高分辨率的數字轉矩和轉速頻率信號。可以精確地分析測量值的變化，包括最大信號帶寬。
堅固型 SomatXR MX460B-R 放大器采樣率高達100 kS /通道，信號帶寬高達40 kHz。對于測試臺中的應用，該模塊可以進行扭轉振動分析和差分角度計算，并可實時轉發(fā)計算結果。
溫度范圍: -40 to +80 °C
IP65/IP67 保護等級 (防塵, 防水)
抗振動高達 10 g
抗沖擊高達 75 g
單機現場使用
圖片 即使在惡劣環(huán)境下也可獲得 高精度測量結果。
扭矩，轉速，角度，位置或位移信號采集
采樣率高達100 kS /通道
信號帶寬高達40 kHz
振動分析
分角計算
圖片 確保測量數據安全可靠
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圖片 容易集成和擴展
靈活，模塊化和可擴展
SomatXR 模塊也可以與其他數據采集系統(tǒng) (例如QuantumX). 只需幾個簡單的步驟，您可以定制一個高度個性化的數據采集系統(tǒng)，滿足您的特定需求。 模塊通過以太網 TCP / IP進行通信，并使用IEEE 1588（PTPv2）進行同步。
專業(yè)軟件
每個測量模塊均可通過以太網連接到 PC 和 catman 測量軟件。 SomatXR數據記錄器可以在沒有PC的情況下在現場獨立使用。 這確保數據易于獲取，清晰可視化和智能分析