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目錄:北京縱橫金鼎儀器設(shè)備有限公司>>介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀>>LJD-B介電常數(shù)介質(zhì)損耗>> 絕緣紙介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀

絕緣紙介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀
  • 絕緣紙介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀
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參考價(jià) 面議
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
參考價(jià) 面議
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 品牌 縱橫金鼎
  • 型號(hào)
  • 廠商性質(zhì) 生產(chǎn)商
  • 所在地 北京市
屬性

價(jià)格區(qū)間:1萬(wàn)-2萬(wàn) 應(yīng)用領(lǐng)域:電子/電池

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更新時(shí)間:2025-02-09 10:50:18瀏覽次數(shù):2212評(píng)價(jià)

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絕緣紙介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀
介電常數(shù)分析儀技術(shù)參數(shù):
1.信號(hào)源: DDS數(shù)字合成信號(hào) 10KHZ-70MHZ
2.信號(hào)源頻率精度3×10-5 ±1個(gè)字,6位有效數(shù)
3.Q值測(cè)量范圍:1~1023

 

LJD-B型介電常數(shù)及介質(zhì)損耗測(cè)試儀

  LJD-B型【介電常數(shù)分析儀

  介電常數(shù)分析儀技術(shù)參數(shù):

  *1.信號(hào)源: DDS數(shù)字合成信號(hào) 10KHZ-70MHZ

  *2.信號(hào)源頻率精度3×10-5 ±1個(gè)字,6位有效數(shù)

  3.Q值測(cè)量范圍:1~1023

  4.Q值量程分檔:30、100、300、1000、自動(dòng)換檔或手動(dòng)換檔;

  *5.電感測(cè)量范圍:1nH~8.4H 自身殘余電感和測(cè)試引線電感的自動(dòng)扣除功能

  *6.電容直接測(cè)量范圍:1pF~2.5uF

  *7.主電容調(diào)節(jié)范圍:30~540pF

  8.準(zhǔn)確度 150pF以下±1pF;150pF以上±1%

  9.信號(hào)源頻率覆蓋范圍10kHz~70MHz

  10.合格指示預(yù)置功能范圍:5~1000

  11.環(huán)境溫度:0℃~+40℃;

  12.消耗功率:約25W;電源:220V±22V,50Hz±2.5Hz。

  13. S916(數(shù)顯)介電常數(shù)εr和介質(zhì)損耗因數(shù)tanδ測(cè)試裝置:

  絕緣紙介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀數(shù)顯式微桿

  平板電容器:

  極片尺寸: 38mm

  極片間距可調(diào)范圍:≥15mm

  夾具插頭間距:25mm±0.01mm

  夾具損耗正切值≤4×10-4 (1MHz)

  測(cè)微桿分辨率:0.001mm

  測(cè)試極片:材料測(cè)量直徑Φ38mm厚度可調(diào) ≥ 15mm

  *液體杯:測(cè)量極片直徑 Φ38mm; 液體杯內(nèi)徑Φ48mm 、深7mm

  14. 電感組LKI-1:

  分別有0.1μH、0.5μH、2.5μH、10μH、50μH、100μH、1mH、5mH、10mH九個(gè)電感組成。

  15、主機(jī)尺寸:(寬×高×深)mm:380×132×280

  16、重量約:7KG

  【介電常數(shù)分析儀】術(shù)語(yǔ)

  定義:絕緣紙介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀

  這些試驗(yàn)方法所用術(shù)語(yǔ)定義以及電絕緣材料相關(guān)術(shù)語(yǔ)定義見(jiàn)術(shù)語(yǔ)標(biāo)準(zhǔn)D1711。

  本標(biāo)準(zhǔn)用術(shù)語(yǔ)定義:

  電容,C,名詞——當(dāng)導(dǎo)體之間存在電勢(shì)差時(shí),導(dǎo)體和電介質(zhì)系統(tǒng)允許儲(chǔ)存電分離電荷的性能。

  討論——電容是指電流電量 q與電位差V之間的比值。電容值總是正值。當(dāng)電量采用庫(kù)倫為單位,電位采用伏特為單位時(shí),電容單位為法拉,即:

  C=q/V (1)

  耗散因子(D),(損耗角正切),(tanδ),名詞——是指損耗指數(shù)(K'')與相對(duì)電容率(K')之間的比值,它還等于其損耗角(δ)的正切值或者其相位角(θ)的余切值(見(jiàn)圖1和圖2)。

  D=K''/K' (2)

  3.2.2.1 討論——a:

  D=tanδ=cotθ=Xp/Rp=G/ωCp=1/ωCpRp(3)

  式中:

  G=等效交流電導(dǎo),

  Xp=并聯(lián)電抗,

  Rp=等效交流并聯(lián)電阻,

  Cp=并聯(lián)電容,

  ω=2πf(假設(shè)為正弦波形狀)

  耗散因子的倒數(shù)為品質(zhì)因子Q,有時(shí)成為儲(chǔ)能因子。對(duì)于串聯(lián)和并聯(lián)模型,電容器耗散因子D都是相同的,按如下表示為:

  D=ωRsCs=1/ωRpCp(4)

  串聯(lián)和并聯(lián)部分之間的關(guān)系滿(mǎn)足以下要求:

  Cp=Cs/(1 D2) (5)

  Rp/Rs=(1 D2)/D2=1 (1/D2)=1 Q2(6)

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