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 納米 SiO2 材料的應用范圍的不斷擴展引發了對其環境和健康 危害性的關注，這種需求促生了用于 SiO2 納米材料直接測定 和表征的新方法的開發，雖然 SP-ICP-MS 技術已經確認是可 用于納米顆粒物濃度和粒徑的直接表征方法，但是由于 Si 元 素在質譜測定中會面臨的強質譜重疊干擾，傳統單級質譜存在 定量難度，本文利用 Agilent 8800 ICP-MS/MS 串聯質譜的強 干擾消除能力，實現了 Si 元素的無干擾測定，從而完成了使 用 SP-ICP-MS/MS 對 SiO2 納米材料的直接表征。 由于 CO+ & N2 + 對于 Si 元素造成的質譜重疊干擾，傳統 ICPMS 對于微量 Si 元素的定量效果欠佳，所以實現納米 SiO2 表 征的前提是提升 Si 元素的定量效果，本文作者借助 ICP-MS/ MS 串聯質譜在 Si 元素干擾消除上的能力提升，對比測試了四 種碰撞反應池氣體（H2，O2，NH3，CH3F）的干擾消除效果， 進而實現了利用 SP-ICP-MS/MS 直接表征 89-400nm 粒徑范 圍內的納米 SiO2 材料 5 。

 

 本文作者在摸索 ICP-MS/MS 模式測定 Si 的工作條件時，針 對 H2，O2，NH3， CH3F 四種消干擾池氣體分別進行了二級質 譜掃描，即一級質譜選定 Si 元素（Q1=28amu），二級質譜在 2-100amu 質譜范圍內進行質量掃描，分別獲取四種氣體工作 模式下的產物離子質譜圖，通過譜圖分析來確認這些池氣體在 實際作用過程中的產物離子，辨別不同池氣體在 CO+ & N2 + 干 擾離子去除時的產物離子差異，以便選擇適合的工作氣體并 配合 on-mass 或 mass-shift 模式，進行更加*的干擾消除， 獲取更好的 Si 元素檢出效果。