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硅酸鎵鑭 (La3Ga5SiO14,LGS)晶體2
  • 硅酸鎵鑭 (La3Ga5SiO14,LGS)晶體2
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更新時間:2025-05-26 17:47:08

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種性能優良的多功能晶體,具有很高損傷閾值的光學非線性材料
長度 Dia.30 x 65mm
消光比 >350:1
透過畸變 λ/6
整體透過率 >98%
1/4波電壓 3.2 kv
光潔度 20/10(膜后40/20)
鍍膜 AR/AR @ 1064nm (R<>
電容 9 pF
晶體尺寸 8 x 8 x 45 mm
抗光傷 600MW/cm2 10ns 10Hz 1064nm
外殼尺寸 Dia.30-65 mm
硅酸鎵鑭 (La3Ga5SiO14,LGS)晶體

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摻釹釔鋁石榴石晶體(Nd:YAG)

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摻釹釩酸釔晶體(Nd:YVO4)

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鍵合晶體

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硅酸鎵鑭晶體(LGS晶體)是一種性能優良的多功能晶體,具有很高損傷閾值的光學非線性材料。電光系數高,電光性能優良,屬于三方晶系結構,熱膨脹系數較小,晶體的熱膨脹各向異性較弱,高溫的溫度穩定性好(優于石英晶體),具有的兩個獨立電光系數與BBO晶體的系數相當,電光系數值在很大的溫度范圍內保持穩定,該晶體機械性能好、無解離性、不潮解、物理化學性質穩定,具有非常好的綜合性能。
LGS晶體具有寬的透過波段,從紫外242nm-3550nm都具有很高的透過率。LGS 晶體采用提拉法生長,熔點是1470 ℃ ,在生長溫度至室溫沒有相變點,生長周期短,可以生長出較大尺寸晶體,有旋光性,但比石英小。
可應用于電光調制、電光調Q。LGS電光開關可用于高重復頻率,高輸出能量,應用范圍廣。

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