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IPR 備品備件15030102插頭

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使用直放站作為實現“小容量、大覆蓋"目標的

必要手段之一，主要是由于使用直放站一是在不增加基站數量的前提下保證網絡覆蓋，二是其造價遠遠低于有同樣效果的微蜂窩系統。直放站是解決通信網絡延伸覆蓋能力的一種優選方案。它與基站相比有結構簡單、投資較少和安裝方便等優點，可廣泛用于難于覆蓋的盲區和弱區，如商場、賓館、機場、碼頭、車站、體育館、娛樂廳、地鐵、隧道、高速公路、海島等各種場所，提高通信質量，解決掉話問題，優化無線通信網絡。

為可保證有效功率傳輸，提出電壓駐波比的要求是需要的。根據功率被反射的量和實際水平，要求做到小于1.4～1.5是可行的。

低噪聲放大器

在放大微弱信號的場合，放大器自身的噪聲對信號的干擾可能很嚴重，因此希望減小這種噪聲，以提高輸出的信噪比。由放大器所引起的信噪比惡化程度通常用噪聲系數F（見放大）來表示或用取對數值的噪聲系數FN表示FN=10lgF(dB)

低噪聲放大器

低噪聲放大器

低噪聲放大器

理想放大器的噪聲系數F=1(0分貝),其物理意義是輸出信噪比等于輸入信噪比。設計良好的低噪聲放大器的FN可達3分貝以下。在噪聲系數很低的場合,通常也用噪聲溫度Te作為放大器噪聲性能的量度：Te=T0(F-1)。式中T0為室溫。在這里，它和噪聲溫度Te的單位都是開爾文(K)。

低噪聲放大器

多級放大器的噪聲系數F主要取決于它的前置級。若F1，F2，…，Fn依次為各級放大器的噪聲系數，則式中A1,…，An-1依次為各級放大器的功率增益。前置級的增益A1越大,則其后各級放大器對總噪聲系數F的影響越小。

低噪聲放大器

單級放大器的噪聲系數主要取決于所用的有源器件及其工作狀態。現代的低噪聲放大器大多采用晶體管、場效應晶體管；微波低噪聲放大器則采用變容二極管參量放大器，常溫參放的噪聲溫度Tθ可低于幾十度（絕對溫度），致冷參量放大器可達20K以下。砷化鎵場效應晶體管低噪聲微波放大器的應用已日益廣泛，其噪聲系數可低于2分貝。

低噪聲放大器

晶體管的自身噪聲由下列四部分組成。①閃爍噪聲，其功率譜密度隨頻率f的降低而增加，因此也叫作1/f噪聲或低頻噪聲。頻率很低時這種噪聲較大，頻率較高時（幾百赫以上）這種噪聲可以忽略。②基極電阻rb'b的熱噪聲和。③散粒噪聲，這兩種噪聲的功率譜密度基本上與頻率無關。④分配噪聲，其強度與f的平方成正比，當f高于晶體管的截止頻率時,這種噪聲急劇增加。圖1是晶體管噪聲系數F隨頻率變化的曲線。對于低頻，特別是超低頻低噪聲放大器,應選用1/f噪聲小的晶體管；對于中、高頻放大，則應盡量選用高的晶體管，使其工作頻率范圍位于噪聲系數-頻率曲線的平坦部分。

低噪聲放大器

放大器的噪聲系數還與晶體管的工作狀態以及信源內阻有關。圖2是考慮了自身噪聲的放大器模型。us和Rs分別為信源電壓和內阻,Rs的熱噪聲電壓均方值等于4kTRs墹f，式中T為絕對溫度，k為玻耳茲曼常數，墹f為放大器通帶。放大器自身噪聲用噪聲電壓均方值和噪聲電流均方值表示，它們是晶體管工作狀態的函數，可以用適當方法來測量。這樣，放大器的噪聲系數F可寫作放大管的直流工作點一旦確定,和亦隨之確定，這樣，噪聲系數F將主要是信源內阻Rs的函數。Rs有一使F為最小的最佳值（圖3）。

低噪聲放大器

低噪聲放大器

晶體管放大器的噪聲系數基本上與電路組態無關。但共發射極放大器具有適中的輸入電阻，F為最小時的最佳信源電阻Rs和此輸入電阻比較接近，輸入電路大體上處于匹配狀態，增益較大。共基極放大器的輸入電阻小，共集電極放大器的輸入阻抗高，兩者均不易同時滿足噪聲系數小和放大器增益高的條件，所以都不太適于作放大鍵前置級之用。為了兼顧低噪聲和高增益的要求，常采用共發射極-共基極級聯的低噪聲放大電路。

低噪聲放大器

低噪聲放大器(LNA)主要面向移動通信基礎設施基站應用，例如收發器無線通信卡、塔頂放大器(TMA)、組合器、中繼器以及遠端/數字無線寬帶頭端設備等應用設計，并為低噪聲指數(NF, Noise Figure)立下了新標竿。目前無線通信基礎設施產業正面臨必須在擁擠的頻譜內提供最佳信號質量和覆蓋度的挑戰，接收器靈敏度是基站接收路徑設計中最關鍵的要求之一，合適的LNA選擇，特別是第一級LNA可以大幅度改善基站接收器的靈敏度表現，低噪聲指數也是關鍵的設計目標，Avago提供了1900MHz下0.48dB同級產品最佳的噪聲指數。　另一個關鍵設計為線性度，它影響了接收器分辨緊密接近信號和假信號分別的能力，三階截點OIP3可以用來定義線性度，在1900MHz和5V/51mA的典型工作條件下，Avago為0.59dB，OIP3則為35dBm。通過低噪聲指數和高OIP3，這些Avago的新低噪聲放大器可以提供基站接收器路徑比現有放大器產品更大的設計空間。

低噪聲放大器

內置有源偏壓電路，Avago低噪聲放大器的工作電流可以調整，使設計工程師可以在工作功耗和輸出線性度間進行取舍，通過OIP3的測量并維持最佳的噪聲指數，基站設計工程師可以擁有使用相同Avago低噪聲放大器滿足各種設計需求和不同地區要求的靈活度。　由于必須在發射和接收電路卡中加入更多的通信頻道，印刷電路板的空間也成為基站設計工程師所面臨的另一項關鍵設計挑戰，Avago選用了小型4 mm2的QFN封裝來滿足這個市場需求，這兩款新低噪聲放大器采用和Avago現有900MHz低噪聲放大器MGA-633P8相同的封裝尺寸、引腳安排和外部匹配電路，

低噪聲放大器

在放大微弱信號的場合，放大器自身的噪聲對信號的干擾可能很嚴重，因此希望減小這種噪聲，以提高輸出的信噪比。由放大器所引起的信噪比惡化程度通常用噪聲系數F（見放大）來表示或用取對數值的噪聲系數FN表示FN=10lgF(dB)

低噪聲放大器

低噪聲放大器

低噪聲放大器

理想放大器的噪聲系數F=1(0分貝),其物理意義是輸出信噪比等于輸入信噪比。設計良好的低噪聲放大器的FN可達3分貝以下。在噪聲系數很低的場合,通常也用噪聲溫度Te作為放大器噪聲性能的量度：Te=T0(F-1)。式中T0為室溫。在這里，它和噪聲溫度Te的單位都是開爾文(K)。

低噪聲放大器

多級放大器的噪聲系數F主要取決于它的前置級。若F1，F2，…，Fn依次為各級放大器的噪聲系數，則式中A1,…，An-1依次為各級放大器的功率增益。前置級的增益A1越大,則其后各級放大器對總噪聲系數F的影響越小。

低噪聲放大器

單級放大器的噪聲系數主要取決于所用的有源器件及其工作狀態。現代的低噪聲放大器大多采用晶體管、場效應晶體管；微波低噪聲放大器則采用變容二極管參量放大器，常溫參放的噪聲溫度Tθ可低于幾十度（絕對溫度），致冷參量放大器可達20K以下。砷化鎵場效應晶體管低噪聲微波放大器的應用已日益廣泛，其噪聲系數可低于2分貝。

低噪聲放大器

晶體管的自身噪聲由下列四部分組成。①閃爍噪聲，其功率譜密度隨頻率f的降低而增加，因此也叫作1/f噪聲或低頻噪聲。頻率很低時這種噪聲較大，頻率較高時（幾百赫以上）這種噪聲可以忽略。②基極電阻rb'b的熱噪聲和。③散粒噪聲，這兩種噪聲的功率譜密度基本上與頻率無關。④分配噪聲，其強度與f的平方成正比，當f高于晶體管的截止頻率時,這種噪聲急劇增加。圖1是晶體管噪聲系數F隨頻率變化的曲線。對于低頻，特別是超低頻低噪聲放大器,應選用1/f噪聲小的晶體管；對于中、高頻放大，則應盡量選用高的晶體管，使其工作頻率范圍位于噪聲系數-頻率曲線的平坦部分。

低噪聲放大器

放大器的噪聲系數還與晶體管的工作狀態以及信源內阻有關。圖2是考慮了自身噪聲的放大器模型。us和Rs分別為信源電壓和內阻,Rs的熱噪聲電壓均方值等于4kTRs墹f，式中T為絕對溫度，k為玻耳茲曼常數，墹f為放大器通帶。放大器自身噪聲用噪聲電壓均方值和噪聲電流均方值表示，它們是晶體管工作狀態的函數，可以用適當方法來測量。這樣，放大器的噪聲系數F可寫作放大管的直流工作點一旦確定,和亦隨之確定，這樣，噪聲系數F將主要是信源內阻Rs的函數。Rs有一使F為最小的最佳值（圖3）。

低噪聲放大器

低噪聲放大器

晶體管放大器的噪聲系數基本上與電路組態無關。但共發射極放大器具有適中的輸入電阻，F為最小時的最佳信源電阻Rs和此輸入電阻比較接近，輸入電路大體上處于匹配狀態，增益較大。共基極放大器的輸入電阻小，共集電極放大器的輸入阻抗高，兩者均不易同時滿足噪聲系數小和放大器增益高的條件，所以都不太適于作放大鍵前置級之用。為了兼顧低噪聲和高增益的要求，常采用共發射極-共基極級聯的低噪聲放大電路。

低噪聲放大器

低噪聲放大器(LNA)主要面向移動通信基礎設施基站應用，例如收發器無線通信卡、塔頂放大器(TMA)、組合器、中繼器以及遠端/數字無線寬帶頭端設備等應用設計，并為低噪聲指數(NF, Noise Figure)立下了新標竿。目前無線通信基礎設施產業正面臨必須在擁擠的頻譜內提供最佳信號質量和覆蓋度的挑戰，接收器靈敏度是基站接收路徑設計中最關鍵的要求之一，合適的LNA選擇，特別是第一級LNA可以大幅度改善基站接收器的靈敏度表現，低噪聲指數也是關鍵的設計目標，Avago提供了1900MHz下0.48dB同級產品最佳的噪聲指數。　另一個關鍵設計為線性度，它影響了接收器分辨緊密接近信號和假信號分別的能力，三階截點OIP3可以用來定義線性度，在1900MHz和5V/51mA的典型工作條件下，AvagoGaAs增強模式pHEMT工藝技術可以帶來0.48dB的噪聲指數和35dBm的OIP3，在2500MHz和5V/56mA的典型工作條件下，噪聲指數為0.59dB，OIP3則為35dBm。通過低噪聲指數和高OIP3，這些Avago的新低噪聲放大器可以提供基站接收器路徑比現有放大器產品更大的設計空間。

低噪聲放大器

內置有源偏壓電路，Avago低噪聲放大器的工作電流可以調整，使設計工程師可以在工作功耗和輸出線性度間進行取舍，通過OIP3的測量并維持最佳的噪聲指數，基站設計工程師可以擁有使用相同Avago低噪聲放大器滿足各種設計需求和不同地區要求的靈活度。　由于必須在發射和接收電路卡中加入更多的通信頻道，印刷電路板的空間也成為基站設計工程師所面臨的另一項關鍵設計挑戰，Avago選用了小型4 mm2的QFN封裝來滿足這個市場需求，這兩款新低噪聲放大器采用和Avago現有900MHz低噪聲放大器MGA-633P8相同的封裝尺寸、引腳安排和外部匹配電路，