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LT-200數字式太陽能級硅晶體少子壽命測試儀
本設備是按照標準GB/T1553“硅單晶少數載流子壽命測定的高頻光電導衰減法"設計制造。高頻光電導衰減法在我國半導體集成電路、晶體管、整流器件、
產品簡介
詳細介紹
數字式太陽能級硅晶體少子壽命測試儀
本設備是按照標準GB/T1553“硅單晶少數載流子壽命測定的高頻光電導衰減法”設計制造。高頻光電導衰減法在我國半導體集成電路、晶體管、整流器件、核探器行業已運用了三十多年，積累了豐富的使用經驗，經過數次全國十多個單位巡回測試的考驗，證明是一種成熟可靠的測試方法，特別適合于硅塊、硅棒的少子體壽命測量；也可對硅片進行測量，給出相對壽命值。方法本身對樣品表面的要求為研磨面，因此制樣特別簡便。
昆德公司數字式硅晶體少子壽命測試儀有以下特點：
可測量太陽能級多晶硅塊、單晶硅棒少數載流子體壽命。表面無需拋光，直接對切割面或研磨面進行測量，儀器可按需方提供的有標稱值的校準樣品調試壽命值。
1.1 可測量太陽能級單晶及多晶硅片少數載流子的相對壽命，表面無需拋光、鈍化。
1.2 液晶屏上直接顯示少子壽命值，同時在線顯示光電導衰退波形。
1.3 配置的紅外光源：0.904～0.905μm波長紅外脈沖激光器，光穿透硅晶體深度較淺≈30μm，但光強較強，有利于測量低阻太陽能級硅晶體少數載流子體壽命，脈沖功率30W。
1.4 專門為消除陷進效應增加了紅外低光照。
1.5 測量范圍寬廣 數字式太陽能級硅晶體少子壽命測試儀
測試儀可直接測量：
a、研磨或切割面：電阻率≥0.5Ω•cm的單晶硅棒、定向結晶多晶硅塊少子體壽命，切割片的少子相對壽命。
b、拋光面：電阻率在0.5～0.01Ω•cm范圍內的硅單晶、鍺單晶厚度小于1mm的拋光片。
2. 設備技術要求及性能指標
2.1 少子壽命測試范圍：0.5μs~6000μs
2.2 樣品的電阻率范圍：ρ﹥0.1Ω·cm（非回爐料）
2.3 測試速度：1分鐘/片
2.4 紅外光源波長： 0.904～0.905μm
2.5 高頻振蕩源：用石英諧振器，振蕩頻率：30MHZ
2.6 前置放大器，放大倍數約25，頻寬2HZ-2MHZ
2.7 可測單晶尺寸：斷面豎測：
直徑25mm-150mm；厚度2mm-500mm
縱向臥測：直徑5mm-20mm；長度50mm-200mm
2.8 測量方式：采用數字示波器直接讀數方式
2.9 測試分辨率：數字存儲示波器小分辨率0.01μs
2.10 設備重量：20 Kg
2.11 儀器電源：電源電壓類型：單相210～230V,50Hz,帶電源隔離、濾波、穩壓，不能與未做保護措施的大功率、高頻設備共用電源。
 | 產品名稱：智能型數顯透氣性測定儀智能透氣性測定儀 產品型號： ZTY |
智能型數顯透氣性測定儀 智能透氣性測定儀型號：ZTY
1、技術要求：
用于鑄造車間鑄型透氣性的直接測定，也用于鑄造用原砂及混合料在干態或濕態時標準試樣的透氣性測定。數字顯示、自動打印功能(帶計算機通訊接口含軟件)。
1.1 氣源工作壓力：981±5Pa;
1.2 測量精度：±1%;
1.3 通氣孔規格：大孔Φ1.5mm;小孔Φ0.5mm;
1.4 透氣性測定范圍：0-2450。
 | 產品名稱： 緣電阻測試儀 產品型號：DMG2672 |
緣電阻測試儀 型號：DMG2672
產品特性：
1. 輸出功率大、帶載能力強，抗干擾能力強。
本表外殼由高強度鋁合金組成，機內設有等電位保護環和四階有源低通濾波器，對外界工頻及強電磁場可起到有效的屏蔽作用。對容性試品測量由于輸出短路電流大于1.6mA，很容易使測試電壓迅速上升到輸出電壓的額定值。對于低阻值測量由于采用比例法設計故電壓下落并不影響測試精度。
2. 本儀表不需人力作功，由電池供電，量程可自動轉換。一目了然的面板操作和LCD顯示使得測量十分方便和迅捷。
3. 本表輸出短路電流可直接測量，不需帶載測量進行估算。
技術參數：
1. 使用條件：
環境溫度：0℃～+45℃ 相對濕度：≤85%RH。
2. 輸出電壓等級、測量范圍、分辨力、誤差：
輸出電壓等級：500V，1000V，2500V，5000V。
測量范圍：0～19990MΩ。
分 辨 力：0.01MΩ，0.1MΩ，1.0MΩ，10.0MΩ。
相對誤差：0～2000MΩ≤±5%±2d,
2000MΩ～19990MΩ≤10%±2d。
3. 輸出電壓帶載能力及短路電流：
電壓/負載：5000V/40MΩ。
電壓跌落：約10%。
短路電流： > 1.6mA。
4. 電源范圍、功率損耗：
直流：8×1.5V(AA， R6)電池。
交流：220V/50Hz。
功耗：靜態功耗≤160mW；大功率≤2.5W。
5. 體積與重量：
體積：235mm×200mm×135mm。
重量：< 1.4kg。