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使用切片方式制備像紙張、纖維等軟材料截面樣品，容易使樣品變形錯位；機械拋光處理的樣品表面經常也會留下劃痕、污染和表面應力，對樣品的形貌觀察和結構分析帶來不利影響。日立新推出的IM4000離子研磨儀既可以對樣品進行氬離子截面切割，可以進行氬離子平面研磨，是截面樣品制備和平面樣品無應力拋光的理想工具。IM4000日立高新離子研磨裝置
日立高新離子研磨裝置IM4000具有斷面加工和平面研磨功能的混合儀器！
日立高新離子研磨裝置IM4000的混合模式帶有兩種研磨配置：
斷面加工：將樣品斷面研磨光滑，便于表面以下結構高分辨成像。
平面研磨：將樣品表面均勻研磨5平方毫米，從不同角度有選擇地研磨，以便突出樣品的表面特性。
日立高新離子研磨裝置IM4000的高通量能提高加工效率：
與之前的E-3500型相比，采用新型離子槍設計，減少了橫截面研磨時間。（zui大加工率：硅元素為300微米/小時 — 加工時間減少了66%。
日立高新離子研磨裝置IM4000的可拆卸樣品臺裝置：為便于樣品設置和定義研磨邊緣，可將樣品臺裝置拆卸。
特點 IM4000日立高新離子研磨裝置
混合模式：兩種研磨配置
斷面加工：將樣品斷面研磨光滑，便于表面高分辨觀察
平面研磨：不同角度有選擇地，大面積，均勻地研磨5 mm的平面，以突顯樣品的表面特性
高效：提高加工效率
與之前的E-3500型相比，采用新型離子槍設計，減少了橫截面研磨時間
(zui大加工速度：硅材質為300 μm/h - 加工時間減少了66%)
可拆卸式樣品臺：
為便于樣品設置和邊緣研磨，樣品臺設計為可拆卸型
| 項目 | 內容 | |
| 平面研磨 | 截面研磨 | |
| 使用氣體 | 氬氣 | |
| 加速電壓 | 0 ～ 6 kV | |
| zui大加工速率（材料Si） | 約20 m/h＊1 約2 m/h＊2 | 約300 m/h＊3 |
| zui大樣品尺寸 | φ50×25（H）mm | 20（W）×12（D）×7（H）mm |
| 樣品移動范圍 | X : 0 ～ +5 mm | X :±7 mm、Y : 0 ～ +3 mm |
| 旋轉速度 | 1 r/min、 25 r/min | - |
| 擺動角度 | ±60°、±90° | ±15°、±30°、±40° |
| 傾斜角度 | 0～90° | - |
| 氬氣（Ar）流量控制方式 | 質量流量計（Mass Flow Controller） | |
| 真空系統 | 渦輪分子泵（33 L/s）＋機械泵（135 L/min(50 Hz）、162 L/min（60 Hz）） | |
| 裝置尺寸 | 616（W）×705（D）×312（H）mm | |
| 重量 | 主機48 kg＋機械泵28 kg | |
| 選配 | ||
| 加工觀測用顯微鏡 | 倍率 ：15× ～ 100× 雙目型、三目型（可加裝CCD） | |
| 真空轉移盒單元 | 旋蓋式（O形圈密封）密閉樣品，樣品倉內打開旋蓋 | |
| 冷卻系統＊4 | 使用液氮間接冷卻樣品 ；冷卻Mask溫度 ：-30℃以下＊5 ；配有恢復到室溫的控制器 | |
＊1 ：照射角 0° 偏心量 0 mm ＊2 ：照射角 60° 偏心量 4 mm ＊3 ：Si片突出遮擋板（Mask）邊緣100 m加工時的zui大深度 ＊4 ：不能后裝，需出廠時配置 ＊5 ：加入液氮30分鐘后遮擋板（Mask）的溫度
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