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　　短波紅外相機可以用來檢測純半導體材料的質量（通常是硅錠的生長）。此外，切割成晶片的硅錠和晶片成品，也可以用類似的方法檢測缺陷或裂紋。然后將晶片加工成光電子元器件或其他半導體器件。在切割晶圓成為單芯片的加工過程中，對于鋸片和激光校準來說，短波紅外相機依舊是目前應用的主流方案。

 

　　為了進行失效分析，已經裝配好的集成電路必須進行裂紋或光刻檢測。整個生產流程中都需要進行檢測。而在這些應用中，都少不了短波紅外相機的身影。

 

　　短波紅外相機，包括面陣和線掃描相機，目前已經廣泛應用于半導體工業中的晶體硅硅錠或硅磚檢測。使用一臺紅外相機，配合發射波長在1150nm波段的光源，很輕易的就可以進行硅錠或硅磚的內部雜志和結構的檢測。這是因為這種半導體材料不吸收能量低、相對波長更長的短波紅外光子，而可見光光子則因具有更高的能量和相對更短的波長被Si材料吸收，無法透過。這使得使用短波紅外相成為了半導體檢測的優良檢測工具，可以直接檢測缺陷、雜質、孔洞或夾雜。

 

　　當硅錠進一步加工成為晶片時，硅錠中的雜質會對生產設備造成損害。通過短波紅外相機的檢測，則可以有效避免類似的問題，從而確保更高的生產效率。使用短波紅外相機成像的方式，來檢測半導體晶片和集成電路芯片的缺陷，將會起到事半功倍的效果。Si材料是目前zui常用的半導體材料，而砷化鎵（GaAs）探測器又能夠探測到穿過Si材料的短波紅外波段，因此InGaAs短波紅外相機為半導體檢測提供了一種無損的檢測方式，大大地提高了檢測效率，改進了生產過程。