CVD（Chemical Vapor Deposition）和MOCVD（Metal-Organic Chemical Vapor Deposition）是兩種常用的化學氣相沉積技術，用于制備薄膜、涂層和納米材料等。

CVD是一種通過在反應室內將反應物質以氣體形式傳輸并在襯底表面發生化學反應，從而在襯底上形成所需材料的方法。該過程涉及到化學反應、氣體輸運和表面擴散等多個步驟。在CVD過程中，通過控制反應氣體的組成、流速、溫度和壓力等參數，可以實現對所生長材料的成分、結構和性能的精確控制。

而MOCVD是一種特殊的CVD技術，主要用于生長復雜化合物薄膜，如半導體材料、光電材料等。MOCVD利用金屬有機前驅物（通常是金屬有機化合物）和載氣（如氫氣、氮氣）在高溫條件下反應，使金屬有機前驅物分解并釋放金屬原子，然后這些金屬原子與載氣中的其他氣體反應，最終在襯底表面形成所需薄膜。

CVD，MOCVD專用氫氣發生器由超純水機制取二級水，并儲存至水箱備用。氫氣發生器缺水時，自動供給至氫氣發生器。多臺氫氣發生器可串聯使用，通過串聯控制線由一臺發生器控制其他發生器，實現產氣均勻分配。（以兩臺設備為例控制圖如下）