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CVD，MOCVD專用氫氣發生器使用方法
半導體制造技術作為信息時代制造的基礎，堪比工業時代的機床，是整個社會發展的基石和原動力。在產業分工格局重塑的關鍵時期，我國也提出了《中國制造2025》，以通過智能制造實現由制造大國向制造強國的轉換。智能制造(工業4.0)的實現，以各種信息器件的使用為基礎，半導體制造技術正是其制造的核心技術。
而氫氣作為半導體制造中的氣源，在半導體材料及器件制備中起到至關重要的作用。可在光電器件、傳感器、IC制造中應用。
目前半導體工藝中氫氣主要用于退火、外延生長、干法刻蝕等工藝。
退火是通過高溫加熱釋放材料內部應力從而改善材料質量的一種材料處理辦法，氫氣作為保護氣可以起到防止氧化等作用，多用于薄膜生長后釋放應力。
氫氣也可以應用在化學氣相沉積(ChemicalVaporDepositon)薄膜生長。化學氣相沉積是一種利用固態-氣態反應、氣態-氣態反應生成薄膜的設備，如在CVD工藝中作為還原性氣體制備二維材料MOS2、WS2等；等離子增強化學氣相沉積(PECVD)工藝中作為還原性氣體制備石墨烯、單晶硅、碳化硅等；電子回旋共振化學氣相沉積(ECR-CVD)中作為反應氣體在單晶硅襯底上制備金剛石薄膜；金屬有機化學氣相沉積(MOCVD)設備中作為載氣制備光電材料GaN、AlGaN等。同時氫氣也可以在原子層沉積(AtomicLayerDeposition)中使用。
氫氣在等離子體刻蝕(RIE/ICP)中作為反應氣體出現，等離子體刻蝕原理是利用反應氣體離化后與材料發生反應生成揮發性物質，從而實現材料圖形化，是半導體器件制備的工藝。
CVD,MOCVD專用氫氣發生器目前已大量應用在以上工藝中，為半導體材料及器件制備提供好的氣源。
CVD,MOCVD專用氫氣發生器技術參數：
1、氫氣純度：99.9999-99.99999%（外接提純儀）
2、氫氣流量：50L/min
3、輸出壓力：0-1.2MPa
4、壓力穩定性：<0.001MPa
5、供電電源：220V±10%50HZ
6、消耗功率：20KW
7、純水需求：＞2MΩ&3L/h
8、氫氣容積：＜20L
9、環境溫度：1-40℃
10、相對濕度：<85%
11、海拔高度：＜2000米
12、外形尺寸：220x100x200（WxDxHcm）
13、凈重：約600kg(50L)
CVD,MOCVD專用氫氣發生器正確操作步驟：
一、準備工作
檢查設備：首先，應仔細檢CVD,MOCVD專用氫氣發生器外觀是否完好，電源連接是否正常，并核對裝箱單上的品名數量是否齊全。同時，確保儀器“O2”口暢通，加液口蓋子取下以便注液。
環境準備：選擇一個具有良好通風性、遠離熱源、無震動、無陽光直射、無粉塵和腐蝕性氣體的場所放置。環境溫度應控制在0℃-40℃，環境相對濕度應不超過85%。
二、開機操作
連接電源：將儀器輸出密封帽旋緊，接通電源線，打開電源。此時，應觀察儀器流量顯示，當顯示為300ml/min時，表示儀器正在自檢。
自檢與準備：如果流量顯示數字大于0，請用皂液檢查輸出口，看螺帽是否旋緊。自檢合格后，關機并將輸出口螺帽取下。用管路接通用氣設備（或氣體凈化裝置），再次打開電源，儀器進入工作狀態。
三、使用過程
流量檢查：在使用過程中，應注意流量顯示是否與用氣設備用氣量一致。如流量顯示超出用氣設備實際用量較大時，應停機檢漏，檢查連接點或用氣設備是否有漏氣現象并予以解決。
維護保養：定期檢查過濾器中的硅膠是否變色，如變色請馬上更換或再生。該設備使用一段時間后，電解液會逐漸減少，當電解液位接近低位應及時補水，加入二次蒸餾水即可。
四、關機操作
使用完畢后，按照正常關機程序關閉CVD,MOCVD專用氫氣發生器，并斷開電源。